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黄国贤

作品数：2 被引量：9H指数：1
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金：科技型中小企业技术创新基金更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇电学性能
  • 2篇压敏
  • 2篇压敏电阻
  • 2篇氧化锌压敏电...
  • 1篇氧化锑
  • 1篇氧化铋
  • 1篇微观结构
  • 1篇晶粒
  • 1篇ZN
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇华中科技大学

作者

  • 2篇翁俊梅
  • 2篇姜胜林
  • 2篇黄国贤
  • 1篇许毓春
  • 1篇张光祖
  • 1篇郭立

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氧化铋氧化锑热处理对氧化锌压敏电阻的影响
本文研究了BiSbO4掺杂对氧化锌压敏电阻的影响。通过将Bi2O3和Sb2O3在不同温度下煅烧。并在800℃烧结后合成了较纯的BiSbO4。通过物相和差热分析发现BiSbO4能够与ZnO在高温下反应形成烧绿石相和尖晶石相...
翁俊梅姜胜林许毓春黄国贤
关键词：氧化锌压敏电阻电学性能微观结构
Zn_2SiO_4掺杂对氧化锌压敏电阻性能的影响被引量：9
2011年
采用普通陶瓷工艺制备了Zn2SiO4掺杂的氧化锌压敏电阻,研究了Zn2SiO4掺杂量对氧化锌压敏电阻的致密度,晶粒微观结构,小电流性能和通流能力的影响。结果表明:当Zn2SiO4掺杂量达到0.75%(摩尔分数)时,氧化锌压敏电阻晶粒致密均匀;电学性能得到改善,压敏电压梯度和非线性系数分别高达438 V/mm和85,漏电流为0.15μA,样品在耐受5 kA电流下的8/20μs脉冲电流波后,残压比和压敏电压变化率分别为2.0和4.0%。
黄国贤姜胜林郭立张光祖翁俊梅
关键词：氧化锌压敏电阻晶粒电学性能
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