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间接3D打印制备Ti/HAp复合材料的结构与性能被引量：4: 2021年; 采用离子掺杂改性的方式制备不同铷(Rb)含量的羟基磷灰石(Rb-Hydroxyapatite,Rb-HAp)粉末,然后用间接3D打印法制备Ti/Rb-HAp复合材料,对该材料的形貌和物相组成进行分析,测定材料的力学性能,并通过体外细胞培养和细胞增殖与分化实验,研究材料的生物学性能。结果表明:Ti/Rb-HAp复合材料的孔隙率较高,多孔结构有利于新骨组织向内生长和体液的传输。Rb的加入可提高Ti/HAp复合材料的抗弯强度和抗压强度,并且抗压强度随Rb含量增加而小幅提高。与纯Ti相比,Ti/Rb-HAp复合材料可促进MG-63细胞的增殖和ALP活性,具有良好的细胞相容性。浸泡在模拟体液中,Ti/Rb-HAp复合材料表面形成致密的磷灰石层,表明该材料具有优异的生物活性。; 刘晏军刘业谭彦妮; 关键词：生物相容性力学性能

高纯钨制备工艺的原理及其研究现状被引量：6: 2013年; 综述了高纯钨制备工艺的原理及其研究现状,着重介绍了沉淀分离、溶剂萃取分离和离子交换分离等化学提纯方法,以及真空脱气、真空蒸馏、区域熔炼等物理提纯方法。此外,还介绍了化学气相沉积法,并指出了研究高纯钨制备的发展方向。; 马运柱刘业刘文胜龙路平刘书华

电子束端面熔炼法制备高纯钨的研究被引量：6: 2014年; 采用250 kW的电子束熔炼炉对纯度为99.955%的钨棒进行提纯研究,利用扫描电镜、电感耦合等离子体光谱法(ICP-MS)和微米压痕仪分别对原料钨棒和熔炼后钨锭的形貌、纯度和显微硬度进行观察和测试.研究表明:在电子束轰击原料钨棒的过程中,钨棒端面的边缘最先熔化;经电子束熔炼后,钨棒的整体纯度显著提高,达到了99.975%,间隙杂质O和C的脱除率分别达到55.5%和45.8%;非间隙杂质的蒸汽压与脱除率密切相关,高蒸汽压的杂质元素Cd、As、K、Mg脱除较为完全,其脱除率分别为95%、90%、75%和71.4%,在钨棒中含量分别降至1、1、5和10μg/g.; 马运柱刘业刘文胜龙路平; 关键词：电子束熔炼净化提纯

基于有限元法对电子束熔炼提纯钨过程的温度场模拟被引量：4: 2014年; 采用ANSYS软件对电子束熔炼提纯钨过程中的温度场进行数值模拟,探讨了不同工艺参数(熔炼功率(P)及扫描半径(R))对熔体温度及熔池形状的影响。采用已模拟的工艺参数,在250 kW电子束设备上进行了提纯钨的实验验证,并用电感耦合等离子体光谱法(ICP-MS)对熔炼钨锭的成分进行分析。结果表明,熔炼功率和扫描半径对熔体温度和熔池形状都有一定的影响。随着熔炼功率的增加,熔体温度线性增加;随着扫描半径增大,熔体最高温度随之增加,但增加速率逐渐减小,最后趋于平衡;熔炼功率和扫描半径的细微变化皆能引起熔池形状和大小的显著变化,当熔炼功率和扫描半径过小(P=110 kW,R=10 mm)时,由于施加温度过低,铸锭熔解困难,无法形成熔池,随着熔炼功率及扫描半径的增大,熔池宽度和深度均有所增加。对模拟结果进行分析得到熔炼提纯钨的最佳条件为P=130 kW,R=15 mm,在此条件下杂质Cd,As,K,Mg,P的脱除率分别为95.0%,90.0%,75.0%,71.4%和71.4%。实验验证表明所建数学模型对电子束熔炼提纯钨具有较好的适应性。; 刘文胜刘书华龙路平马运柱刘业; 关键词：电子束熔炼有限元温度场

熔融沉积(FDM)工艺参数对SiC陶瓷微观结构和力学性能影响被引量：4: 2021年; 为提高熔融沉积成型(FDM)碳化硅(SiC)陶瓷的质量,本文主要研究工艺参数(料筒温度、喷嘴直径和打印层厚)对SiC陶瓷表面形貌、微观结构和力学性能的影响。结果表明:在料筒温度180℃、喷嘴直径0.8 mm和打印层厚0.2 mm时可获得稳定可控的挤出流量,SiC生坯和烧结体微观结构致密,层间结合效果好。SiC烧结体密度为3.18 g/cm^(3),达到理论密度的99%,抗弯强度为302 MPa左右。成功制备了具有复杂几何形状和可控尺寸精度的SiC生坯,研究结果为3D打印SiC陶瓷工艺参数的制定提供了参考依据。; 胡祥芬牛富荣周哲杨现锋刘业郭金玉刘鹏徐协文; 关键词：熔融沉积成型

电子束熔炼提纯钨中杂质脱除静态动力学研究被引量：2: 2015年; 研究了电子束熔炼提纯钨过程中典型杂质的脱除,考察了电子束熔炼提纯钨的可行性,对电子束熔炼过程中的除杂动力学进行了分析,并确定了110、130、250 kW功率条件下杂质Fe、Si、Ti的脱除速率控制机制。结果表明:除Mo外,电子束熔炼对基体钨中各种杂质均有不同程度的脱除,其脱除率与饱和蒸气压差存在对应关系;通过分析并结合电子束熔炼实验,确定了Si、Fe、Ti在110 kW时的传质系数分别为0.21、0.56、0.11×10-4 m/s,在130 kW时的传质系数分别为0.83、3.04、1.78×10-4 m/s,在250 kW时的传质系数分别为0.36、2.37、1.48×10-4 m/s,表明其脱除速率控制机制均为液/气界面中的扩散。; 刘文胜龙路平马运柱刘业刘书华; 关键词：电子束熔炼提纯钨

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刘业