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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇铝酸锶
  • 2篇发光
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇射频磁控溅射...
  • 1篇热处理温度
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  • 1篇光致
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  • 1篇发光薄膜
  • 1篇掺杂
  • 1篇长余辉
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 2篇湛江师范学院

作者

  • 2篇谢伟
  • 2篇梁枫
  • 2篇唐美蝶
  • 1篇邹长伟
  • 1篇李华炳
  • 1篇邵乐喜
  • 1篇黎倩雯
  • 1篇黄祖炎
  • 1篇符茜茜
  • 1篇何小云

传媒

  • 1篇广州化工
  • 1篇材料研究与应...

年份

  • 2篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
热处理温度对铝酸锶长余辉薄膜结构和发光性能的影响被引量:2
2013年
利用磁控溅射制备稀土掺杂铝酸锶薄膜前驱体,再将前驱体置于800℃、900℃、1000℃和1100℃弱还原气氛热处理,得到铝酸锶长余辉发光薄膜。薄膜的物相结构随热处理温度升高而发生改变,逐渐由SrAl_2O_4相转变为Sr_4Al_(14)O_(25)相,光致发光性能随之发生改变。
李华炳唐美蝶何小云黎倩雯黄祖炎符茜茜梁枫谢伟
关键词:稀土掺杂铝酸锶光致发光
射频磁控溅射制备铝酸锶长余辉发光薄膜被引量:2
2013年
采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备稀土掺杂铝酸锶薄膜,在900℃和1100℃下、弱还原气氛中退火,分别得到SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+和Sr4Al14O25∶Eu2+,Dy3+长余辉发光薄膜.结果表明:SrAl2O4结构是形成Sr4Al14O25相结构的中间相;在360nm激发光激发下,SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+薄膜发光峰位于517nm处左右,发光强度相对略高于Sr4Al14O25∶Eu2+,Dy3+薄膜,且后者发光峰位于490nm处左右;Sr4Al14O25∶Eu2+,Dy3+薄膜的余辉性能优于SrAl2O4∶Eu2+,Dy3+薄膜.
谢伟梁枫邹长伟唐美蝶邵乐喜
关键词:磁控溅射铝酸锶长余辉
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