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孔今沂

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：山东大学物理学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电性质
  • 2篇光电性质
  • 2篇MOCVD

机构

  • 2篇山东大学

作者

  • 2篇冯先进
  • 2篇马瑾
  • 2篇杨帆
  • 2篇张凯
  • 2篇孔今沂

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究
用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法以三甲基铟为源材料,以 O为氧化气体,在蓝宝石衬底(0001) 面上生长出了高质量的立方相 InO薄膜。研究了 InO 薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有 InO...
杨帆马瑾冯先进孔今沂张凯
关键词：MOCVD光电性质
文献传递
MOCVD方法制备In2O3薄膜的性质研究
2007年
用金属有机化学气相淀积（MOCVD）方法以三甲基铟为源材料，以O2为氧化气体，在蓝宝石衬底（0001）面上生长出了高质量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的结构、表面形貌和光电性质。结果表明制备样品具有In2O3体心立方结构和（222）方向择优取向生长，电阻率～6．40×10^-3Ω·cm，在可见光区域的平均透过率达到了90％以上。
杨帆马瑾冯先进孔今沂张凯
关键词：MOCVD光电性质
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