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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文
  • 1篇标准

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电路
  • 2篇开关矩阵
  • 2篇宽带
  • 2篇功率
  • 2篇二极管
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇调整电路
  • 1篇粘固
  • 1篇数控衰减器
  • 1篇衰减器
  • 1篇偏置
  • 1篇偏置电路
  • 1篇微波组件
  • 1篇限幅
  • 1篇限幅器
  • 1篇放大器
  • 1篇P-I-N二...
  • 1篇PIN二极管

机构

  • 4篇中国电子科技...

作者

  • 4篇岳维山
  • 2篇张越成
  • 2篇毛伟
  • 2篇许向前
  • 1篇陈海蓉
  • 1篇魏爱新
  • 1篇王长河
  • 1篇许悦

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2011
  • 1篇1996
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
微波组件粘固、灌封工艺技术要求
本标准规定了微波组件产品内部元器件、原材料、零部件粘固的环境、材料、设备和工艺方法、检验等要求,以及产品内部腔体灌封的环境、材料、设备和工艺方法、检验等要求。本标准适用于微波组件产品的粘固、灌封操作和检验。
魏爱新岳维山孙涛许悦陈海蓉
超宽带开关矩阵的研制被引量:2
2011年
介绍了一种采用p-i-n开关设计的单路选通开关矩阵。通过合理设计p-i-n二极管的直流反偏电压,解决了p-i-n开关矩阵承受功率的设计问题;采用宽带锥形电感和空心电感相结合的电路形式,设计了一种宽带的偏置电路;优化了开关矩阵电路的设计,简化了电路结构形式,提高了开关矩阵的微波性能和可生产性。设计实现了一种超宽带单路选通开关矩阵,工作频率为1~18 GHz,插入损耗(IL)<5 dB,端口隔离(Isolation)>35 dB。验证结果表明,理论仿真结果与实验测试结果基本一致,证明了设计方法的可行性。
许向前毛伟张越成岳维山
关键词:P-I-N二极管偏置电路大功率宽带开关矩阵
数控衰减器研究
1996年
应用CAA技术研究模拟了PIN二极管的电参数特性,并用于数控衰减器的CAD。频率范围:1.0~1.7GHz,衰减范围:2,4,8,16dB,插入损耗≤2.3dB,VSWR≤2.0。
袁小革王长河冯英岳维山
关键词:PIN二极管数控衰减器
宽带功率调整电路的研制
本文介绍了一种采用开关切换不同通道的功率调整电路;设计实现了一种功率调整范围0dB、20dB、40dB的宽带的多端口功率调整电路。采用宽带大功率PIN开关矩阵、限幅器、宽带低噪声放大器和衰减器组成。设计了一种三端输入的宽...
许向前毛伟张越成岳维山
关键词:宽带开关矩阵低噪声放大器限幅器
文献传递
共1页<1>
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