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李天天
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
吕游
吉林大学电子科学与工程学院集成...
王连锴
吉林大学电子科学与工程学院集成...
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吉林大学电子科学与工程学院集成...
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吉林大学电子科学与工程学院集成...
刘仁俊
吉林大学电子科学与工程学院集成...
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2013
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温度对GaSb/GaAs量子点尺寸分布的影响
被引量:1
2013年
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)法制备GaSb/GaAs量子点。通过对不同生长温度的样品进行分析发现温度的变化对GaSb/GaAs量子点的相位角无明显影响,量子点的形状是透镜型。由于量子点特殊的应力分布,可实现量子点的"自限制"生长。量子点的化学势不连续性以及Ostwald熟化机制的影响使得量子点尺寸分布在一定范围内不连续,会出现两种尺寸模式的量子点生长。Sb原子的表面迁移率对GaSb/GaAs量子点生长有较大的影响。升高温度可有效改善量子点的分立性,在升温过程中量子点体现出其熟化过程,高温时表面原子的解析附作用对量子点尺寸和密度的影响较大。
刘仁俊
李天天
杨皓宇
王连锴
吕游
张宝林
关键词:
MOCVD
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