您的位置： 专家智库 > >

李玉阁

作品数：12 被引量：20H指数：3
供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：金属学及工艺一般工业技术理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 8篇金属学及工艺
  • 4篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 9篇溅射
  • 9篇磁控
  • 9篇磁控溅射
  • 7篇功率
  • 7篇高功率
  • 5篇涂层
  • 4篇溅射沉积
  • 4篇磁控溅射沉积
  • 3篇性能研究
  • 3篇纳米复合涂层
  • 2篇等离子体
  • 2篇振荡
  • 2篇相组成
  • 2篇抗氧化
  • 2篇残余应力
  • 1篇刀具
  • 1篇电流
  • 1篇断裂韧性
  • 1篇多层膜
  • 1篇致密

机构

  • 12篇大连理工大学
  • 1篇湖南农业大学

作者

  • 12篇李玉阁
  • 10篇雷明凯
  • 3篇吴彼
  • 2篇朱小鹏
  • 2篇高剑英
  • 1篇吴志立

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇表面技术
  • 2篇材料导报
  • 2篇中国表面工程
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇第七届全国青...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
高功率调制脉冲磁控溅射沉积纳米复合TiAlSiN涂层刀具的工艺及性能研究
本文采用高功率调制脉冲磁控溅射技术制备纳米复合TiAlSiN涂层,使用模拟/实验方式来解释涂层性能对刀具切削性能的影响.使用化学成分为Ti47Al47Si6(原子百分比)合金靶材,调制脉冲电源充电电压从400 V升至45...
陈辉李玉阁雷明凯
关键词：划痕结合力
深振荡磁控溅射放电等离子体脉冲特性
2024年
深振荡脉冲磁控溅射(deep oscillation magnetron sputtering,DOMS)以一系列微脉冲振荡波形的形式向靶提供能量,提供高密度等离子体的同时能够实现完全消除电弧放电和提高靶材原子离化率,实现高质量薄膜的沉积制备.针对DOMS微脉冲放电形式拓宽放电参数空间,提高工艺灵活性的特点,建立脉冲等离子体整体模型,测量充电电压DCint=300-380 V和微脉冲开启时间τon=2-6μs的Cr靶放电电压电流,将电压电流波形作为模型输入条件,获得DOMS放电等离子体参数随时间变化规律.充电电压300 V,等离子体峰值密度由τon=2μs的1.34×10^(18) m^(-3)增至τon=3μs的2.64×10^(18) m^(-3),τon由3μs增至6μs时,等离子体峰值密度基本不变.靶材离化率随τon变化趋呈现相近趋势,由τon=2μs的12%增至τon=3μs的20%,τon进一步增至6μs,离化率基本保持不变.固定τon=6μs,DCint由300 V升高至380 V,等离子体峰值密度由2.67×10^(18) m^(-3)增至3.90×10^(18) m^(-3),金属离化率由21%增至28%.DOMS放电具有高功率脉冲磁控溅射典型的金属自溅射现象,峰值自溅射参数Πpeak随功率密度线性增大,表明峰值功率密度是调控DOMS放电中金属自溅射的主要参数.Πpeak最高达到0.20,金属自溅射程度远高于常规脉冲直流磁控溅射,等离子体密度和沉积通量中金属离化率提高,原子沉积带来的阴影效应减轻,是DOMS沉积薄膜质量提高的原因.
高剑英李玉阁雷明凯
关键词：CR
靶基距对Cu/Si(100)薄膜结构和残余应力的影响被引量：2
2020年
采用高功率调制脉冲磁控溅射(MPPMS)技术在Si(100)基体上沉积Cu薄膜,SEM观察薄膜厚度及生长特征、XRD分析薄膜晶体结构、nanoindentor测量薄膜纳米硬度和弹性模量、Stoney公式计算薄膜残余应力,研究沉积过程靶基距对Cu/Si(100)薄膜沉积速率、微结构及残余应力的影响。随着靶基距的增大,薄膜沉积速率降低,薄膜的生长结构由致密T区向I区转变,Cu(111)择优生长的晶粒逐渐减小,薄膜纳米硬度和弹性模量也相应降低,残余拉应力约为400 MPa。较小靶基距时增加的沉积离子通量和能量,决定了薄膜晶粒合并长大体积收缩过程的主要生长形式,导致了Cu/Si(100)薄膜具有的残余拉应力状态。MPPMS工艺的高沉积通量和粒子能量可实现对Cu/Si(100)薄膜残余应力的调控。
孟笛蒋智韬李玉阁高剑英雷明凯
关键词：残余应力
高功率调制脉冲磁控溅射沉积TiAlSiN纳米复合涂层对钛合金基体抗氧化性能的影响研究被引量：3
2020年
目的研究Ti6Al4V基TiAlSiN涂层在800℃下的抗循环氧化性能。方法采用高功率调制脉冲磁控溅射技术,通过调节N2/Ar的流量比fN2,在Ti6Al4V合金和Si(100)上沉积了一系列不同Si含量的TiAlSiN涂层。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、电子探针、透射电镜和纳米压痕仪,表征了TiAlSiN涂层的成分、相组成、微结构和硬度,并通过X射线衍射仪和扫描电子显微镜,进一步对Ti AlSiN涂层在800℃下循环氧化后的微观结构和形貌进行分析。结果脉冲平均功率为2k W时,fN2由10%增至30%,TiAlSiN涂层的Si含量(以原子数分数计)由6.1%增加至16.4%,涂层中Ti和Al含量则相应地降低。当fN2为10%时,TiAlSiN涂层呈现典型的X射线非晶结构特征,涂层中N含量(以原子数分数计)约为47%;当fN2为30%时,TiAlSiN涂层呈现Ti Al N和非晶相的混合结构。TEM结果表明,涂层中TiAlN晶粒尺寸约为5nm并均匀镶嵌在非晶相上。所有沉积于Si基底上的TiAlSiN涂层均具有相近的纳米硬度、弹性模量及残余应力,分别为17 GPa、225 GPa和–300 MPa。选取fN2为10%和25%,溅射具有不同氮含量和特征微结构的TiAlSiN涂层作为Ti6Al4V合金防护涂层,研究涂层的抗循环氧化性能。在800℃高温循环氧化70h后,TiAlSiN涂层保护的合金样品较原始样品呈现更优异的抗氧化性能,且fN2为25%制备的高Si含量TiAlSiN涂层较fN2为10%制备的涂层具有更为优异的抗循环氧化性能。循环氧化后,TiAlSiN氧化层结构完整致密并呈现柱状晶特征,氧化层由上至下分别形成富α-Al2O3、a-TiO2及r-TiO2三层结构。结论高Si含量的TiAlSiN涂层具有更低的氧化速率,涂层的纳米复合结构和低压缩应力是其抗循环氧化能力提高的主要原因。
李玉阁朱小鹏吴彼雷明凯
关键词：钛合金抗氧化
离子轰击对致密T区结构Cr薄膜残余应力的影响
2023年
对于能量沉积技术,离子轰击是独立于晶粒尺寸之外影响残余应力的重要因素,沉积束流能量和通量是决定残余应力演化的关键参数。本研究分别采用高功率调制脉冲磁控溅射(modulated pulsed power magnetron sputtering,MPPMS)和高功率深振荡磁控溅射(deep oscillation magnetron sputtering, DOMS)控制沉积Cr薄膜的束流能量和通量,在相近的平均功率下调节微脉冲参数对峰值电流和峰值电压进行控制,进而实现离子轰击对本征残余应力控制。MPPMS和DOMS沉积的Cr薄膜厚度分别控制在0.1、0.2、0.5、1.0、1.5和3.0μm,并对残余应力进行对比研究。所有沉积的Cr薄膜均呈现Cr(110)择优取向,且形成了晶粒尺寸相当的致密T区结构。较之MPPMS,DOMS沉积Cr薄膜更呈现残余压应力特征。当Cr薄膜厚度小于0.5μm时,DOMS沉积Cr薄膜的残余应力表现出较高的压应力;进一步增加膜厚,残余应力逐渐受残余拉应力控制。在薄膜生长过程中,离子轰击在薄膜生长初期对残余应力贡献不大,当薄膜生长较厚时,离子能量对薄膜残余应力影响明显。离子能量是影响残余压应力形成的重要因素,高能量离子轰击有利于残余压应力的形成和控制。
李玉阁赵宜妮屈亚哲冷云杉雷明凯
关键词：残余应力离子轰击
高功率调制脉冲磁控溅射制备TiAlSiN纳米复合涂层抗氧化性能研究
当前TiAlSiN薄膜其热稳定性可超过800℃.本文通过高功率调制脉冲磁控溅射技术在钛合金上制备一系列具有不同N2/Ar流量比的TiAlSiN纳米复合薄膜,研究了800℃低应力下具有不同Al/Si成分比TiAlSiN纳米...
李玉阁吴彼朱小鹏雷明凯
关键词：纳米复合涂层
高功率调制脉冲磁控溅射沉积NbN涂层特征工艺参数研究被引量：4
2019年
目的研究不施加基片温度和固定Ar/N2流量比为64/16的条件下,微脉冲占空比、充电电压特征工艺参数与负偏压对NbN涂层相组成、微结构和力学性能的影响。方法采用高功率调制脉冲磁控溅射技术(MPPMS),通过控制微脉冲占空比、充电电压和负偏压等特征工艺参数,沉积一系列具有不同相组成的NbN涂层,通过X射线衍射仪、纳米压痕仪和维氏硬度计,分别表征NbN涂层的相组成、结构、硬度和韧性,并通过扫描电子显微镜(SEM)对NbN生长形貌和压痕形貌进行观察分析。结果改变微脉冲占空比和充电电压,所有NbN涂层均由δ-NbN和δ.-NbN组成,施加基片偏压后,NbN涂层主要由δ.-NbN组成。所有的NbN涂层均呈现致密柱状晶结构,且提高微脉冲占空比、充电电压和负偏压,制备的NbN涂层均更加致密。随微脉冲占空比升高,涂层硬度由25GPa增至36GPa,涂层的韧性逐渐增加。提高充电电压制备的NbN涂层,其表现出与控制微脉冲占空比制备的涂层相似的规律。施加负偏压后,涂层主要由δ.-NbN组成,涂层的硬度和韧性均下降。结论两相结构和高致密性是使NbN涂层硬度和韧性同时增强的主要因素。
李玉阁袁海蒋智韬雷明凯
关键词：相组成
纳米CrN_(x)涂层相组成、结构及力学性能研究
2023年
采用高功率调制脉冲磁控溅射(modulated pulsed power magnetron sputtering,MPPMS)和脉冲直流磁控溅射(pulsed direct current magnetron sputtering,PDCMS)复合沉积CrN_(x)涂层,通过调节氮气流量比及溅射功率,研究了氮气/氩气流量比、PDCMS溅射功率及MPPMS溅射功率等工艺参数对CrN_(x)涂层成分、相组成、微结构和力学性能的影响。通过电子探针(EPMA)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、纳米压痕仪及维氏硬度计等,分别对CrN_(x)涂层的成分、相组成、微结构、形貌、硬度及断裂韧性等进行表征。结果表明,当PDCMS溅射功率从700 W增加到1000 W,MPPMS峰值功率增加43.5%,涂层中Cr含量(原子分数)由61.0%增加到65.4%,N含量由39.0%减少到34.6%,而CrN_(x)涂层主要由Cr_(2)N相组成。随着溅射功率的增大,CrN_(x)涂层硬度变化不大,均在20 GPa左右,而涂层的致密性和断裂韧性均得到明显提升。流量比由15%增加至50%,MPPMS的峰值电流和峰值功率均先减小后增大,涂层的物相逐渐由Cr_(2)N向CrN转变。当氮气流量比为35%时,CrN_(x)涂层由Cr_(2)N和CrN两相组成,受两相结构的影响,CrN_(x)涂层的硬度值、残余压应力值和断裂韧性值均达到最大值,分别为20.1 GPa、-901.8 MPa和6.5 MPa·m1/2。电子温度应为CrN_(x)涂层相结构变化的主要驱动力,致密性和两相结构是影响CrN_(x)涂层断裂韧性的主要原因。
李玉阁陈昌隆刘伟阳雷明凯
关键词：断裂韧性
难混溶材料的抗辐照性能研究被引量：1
2021年
核能利用是我国未来能源领域发展的重点,核电设备结构和功能部件难以避免地受核辐照损伤影响,材料因辐照点缺陷损伤聚集作用逐渐产生性能退化进而影响核电设备安全。因此,新型抗核辐照材料开发始终是核电应用的基础方向。近年来,难混溶材料体系因其结构和热力学特殊性受到广泛关注,是当前开发新型抗辐照材料的主要方向,但辐照损伤动力学过程具有时间跨度大、空间尺度广的特点,辐照缺陷的产生及其相互作用机制仍难以厘清。本文从我国核电发展迫切需求出发,立足于辐照下材料的基本变化和相关原理,从难混溶Cu-Nb纳米多层结构的抗辐照材料设计和辐照损伤的动力学模拟两方面对核辐照材料研究进行了评述,并进一步对比分析了纳米多层膜的超硬效应与抗辐照多层膜的相似性,为抗辐照材料设计提供新的设计思路。
卢跃磊刘伟阳李玉阁
关键词：辐照损伤CU-NB纳米多层膜
液体高速冲蚀与防护涂层研究现状被引量：1
2021年
本文面向在天然气、风力发电、火力发电等能源行业中所用设备广泛出现的气液两相流水滴型冲蚀难题,分别对其破坏机制、影响因素、涂层防护技术等方面进行了综述,列举了水滴冲蚀实验所用到的设备、行业标准以及冲蚀试验后的检测手段,并探讨了表面防护涂层的硬度、断裂韧性等物理性能以及涂层的厚度、结构、残余应力等特征对材料的抗水滴冲蚀性能和冲蚀机制的影响,通过相关研究的分析和探讨为抗水滴型冲蚀涂层防护设计提供参考。
陈昌隆赵宜妮李玉阁
关键词：气液两相流
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0