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王雷

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇电流传输比
  • 2篇电路
  • 2篇电耦合
  • 2篇运放
  • 2篇运放电路
  • 2篇塑封
  • 2篇注塑
  • 2篇耦合器
  • 2篇芯片
  • 2篇光导
  • 2篇光电耦合
  • 2篇光电耦合器
  • 2篇光敏
  • 2篇光敏二极管
  • 2篇二极管
  • 2篇高功能
  • 2篇高速化
  • 1篇低功耗
  • 1篇低压
  • 1篇动态阈值

机构

  • 5篇西安微电子技...
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 5篇王雷
  • 4篇王普昌
  • 1篇朱樟明
  • 1篇程卫东

传媒

  • 1篇电子科技

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种一次成型的塑封光电耦合器制作方法
本发明公开了一种一次成型的塑封光电耦合器制作方法，首先制作塑封光电耦合器的承载结构，采用了设计成形的内部光导介质成型结构，有效地提高器件的光电耦合效率，并且无需采用改变光导介质内腔形状的多种成型模具或改变光导介质透明度的...
陈斌张丰王普昌崔祖石王雷
文献传递
一种光敏二极管、一种光敏运放电路及一种光敏芯片
本发明公开一种光敏二极管、一种光敏运放电路及一种光敏芯片，该光敏二极管包括P型衬底，P型衬底上沉积有N型外延层，N型外延层上形成有P+基区层；P+基区层为网格结构；P+基区层上设有基区氧化层，网格结构间隙中的N型外延层上...
王普昌郝立科陈斌崔祖石王雷
一种一次成型的塑封光电耦合器制作方法
本发明公开了一种一次成型的塑封光电耦合器制作方法，首先制作塑封光电耦合器的承载结构，采用了设计成形的内部光导介质成型结构，有效地提高器件的光电耦合效率，并且无需采用改变光导介质内腔形状的多种成型模具或改变光导介质透明度的...
陈斌张丰王普昌崔祖石王雷
文献传递
一种光敏二极管、一种光敏运放电路及一种光敏芯片
本发明公开一种光敏二极管、一种光敏运放电路及一种光敏芯片，该光敏二极管包括P型衬底，P型衬底上沉积有N型外延层，N型外延层上形成有P+基区层；P+基区层为网格结构；P+基区层上设有基区氧化层，网格结构间隙中的N型外延层上...
王普昌郝立科陈斌崔祖石王雷
一种基于动态阈值NMOS的1.2V CMOS模拟乘法器被引量：1
2011年
分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路,以及性能指标优良的特点。其主要参数指标达到:一、三次谐波差值40 dB,输出信号频带宽度375 MHz,平均电源电流约30μA,动态功耗约36μW。可直接应用于低功耗通信集成电路设计。
程卫东朱樟明王雷
关键词：模拟乘法器低压低功耗金属氧化物半导体
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