粱锦
- 作品数：1 被引量：10H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- ZnO欧姆电极制备与n-ZnO/p-Si异质结紫外光电特性被引量：10
- 2006年
- 基于ZnO形成的机理,运用半导体能带理论,分析了金属和ZnO的欧姆接触和肖特基接触特性;在p-Si衬底上,采用直流及射频溅射获得掺Al的ZnO薄膜;用电子束蒸发In/Ag、In/Al、Ti/Au,微电子光刻工艺制作范德堡、传输线、梳状电极和n-ZnO/p-Si异质结UV增强光电探测器,并在200～500℃时,在氩气保护下制作合金样品,测量样品的I-V特性、电阻率、载流子浓度、异质PN结的UV光谱响应,以及对XPS结构组分进行分析等.测试结果表明,采用金属功函数低的In、Ti做中间导电层,并在400℃退火合金后,In/Ag、In/Al、Ti/Au与n-ZnO薄膜形成了良好的欧姆接触.
- 孙腾达谢家纯粱锦黄莉敏林碧霞傅竹西
- 关键词：宽带隙ZNO欧姆接触异质结紫外
