谢成民
- 作品数：17 被引量：2H指数：1
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构
- 本发明一种存储阵列电路结构及大型存储阵列电路结构，在存储阵列分为上存储列阵和下存储列阵，同时在其端部均分别连接灵敏放大器、读写驱动模块和列地址译码电路，上存储列阵的存储单元将由上面的灵敏放大器读出，下存储列阵将由下面的灵...
- 谢成民崔千红杨靓李海松李立马蕊朱吉喆
- 一种全行编解码SRAM编码器数据读写结构及数据读写方法
- 本发明公开了一种全行编解码SRAM编码器数据读写结构及数据读写方法，利用寄存器对SRAM编码器全行数据和EDAC模块数据进行暂存，从而将一行中多个地址数据统一进行编码并存储，从而减少了EDAC码存储容量的同时减小了存储器...
- 谢成民李立
- 文献传递
- 一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法
- 一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法，存储单元在传统6管SRAM存储单元基础上，增加了读通路隔离管，采用独立的读位线和写位线，实现读写通路分离，增加了写通路列选通管和读通路列选通管。由于增加了列字线对访问的...
- 谢成民李立黄桂龙
- 文献传递
- 一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法
- 一种全隔离结构9管SRAM存储单元及其读写操作方法，存储单元在传统6管SRAM存储单元基础上，增加了读通路隔离管，采用独立的读位线和写位线，实现读写通路分离，增加了写通路列选通管和读通路列选通管。由于增加了列字线对访问的...
- 谢成民李立黄桂龙
- 文献传递
- 一种QDR SRAM应用验证板及验证方法
- 本发明属于集成电路应用验证和应用开发领域，公开了一种QDR SRAM应用验证板及验证方法，包括PCB板，在PCB板上设置抗辐照处理器、FPGA、供电模块、时钟模块和复位模块，抗辐照处理器设计了第一QDR SRAM控制器，...
- 张群谢成民金玉琳
- LTCC多层基板传输线反射仿真被引量：2
- 2007年
- 反射是单一网络中导致信号完整性变坏的主要原因。在阻抗不受控的封装中,反射噪声可能会使整个互连封装设计失败。阐述了在某数字电路封装中,一个单一互连网络控制反射的设计过程。最后基于仿真验证结果,给出了高密度、不可控阻抗的数字电路封装中抑制反射噪声的方法。
- 谢成民王俊峰
- 关键词：互连线阻抗
- 一种低功耗大容量CAM电路结构
- 本发明提供了一种低功耗大容量CAM电路结构，通过改变现有CAM的电路结构，并将大容量CAM的工作过程分为几个流水级，分区顺序搜索寻址并锁存，最后将所有寻址结果统一编码后产生结果地址并输出，从而将CAM的瞬态大功耗分布在多...
- 谢成民李立马蕊崔千红朱吉喆郭小玄
- 文献传递
- 一种纠检错后具有自动回写功能的SRAM电路及回写方法
- 本发明公开了一种纠检错后具有自动回写功能的SRAM电路及回写方法，包括EDAC解码器、时序控制电路、地址锁存模块、地址译码器、写控制电路、读出锁存模块和存储阵列，解决了SRAM在恶劣环境中的软错误问题，在并不增加额外的外...
- 谢成民李立
- 文献传递
- 基于PD SOI的GCNMOS电源箝位保护电路
- 2011年
- 随着绝缘体上硅(SOI)技术的快速进展,SOI集成电路的静电放电(ESD)保护已成为一个主要的可靠性问题.研究了基于PD SOI工艺的栅耦合N型金属氧化物半导体管(GCNMOS)电源箝位保护电路,以形成全芯片ESD保护网络.利用HSPICE仿真的方法,可以准确地确定R值和C值,以确定合理的触发电压.根据PD SOI工艺特点设计了基于不同体偏置类型、不同源漏注入类型和不同栅宽的NMOS管的各种GCNMOS电源箝位保护电路,并进行了MPW流片及TLP测试分析,得到源漏深注、体悬浮的H型栅NMOS组成的GCN MOS电源箝位保护电路的抗ESD能力最好,单位宽度(1μm)抗HBM ESD能力可达9.25 V.
- 王忠芳谢成民赵德益吴龙胜刘佑宝
- 关键词：保护电路
- 一种适用于大位宽CAM的数据锁存电路结构
- 本发明提供了一种适用于大位宽CAM的数据锁存电路结构图，通过采用CAM内部自定时电路产生的锁存脉冲信号配合数据端口的一套锁存器，完成对大位宽CAM端口数据的锁存功能，在使用锁存电路结构进行大位宽CAM的数据锁存时，锁存器...
- 谢成民李立马蕊朱吉喆崔千红郭小玄
- 文献传递
