谢铭
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 供职机构：武汉科技大学材料与冶金学院钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氢气与Cu中间层对GZO薄膜光电性能的影响被引量：3
- 2014年
- 采用磁控溅射方法,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO薄膜和在Ar气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,分别研究了H2流量和Cu层厚度对薄膜透明导电性能的影响。在此基础上,在H2/Ar混合气氛下制备了GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,对Cu层厚度对其性能的影响进行了研究。结果表明,沉积气氛中引入H2能有效降低GZO薄膜的电阻率而提高其透光率,在H2流量为20 sccm时GZO薄膜具有最佳性能。随着Cu厚度的增加,GZO/Cu/GZO多层结构薄膜的电阻率和平均透过率显著下降。在H2/Ar混合气氛下制备的氢化GZO/Cu/GZO多层结构薄膜的电阻率普遍低于Ar气氛下制备的GZO/Cu/GZO多层结构薄膜,但其透光率却随Cu层厚度的增加而显著降低。另外,薄膜的禁带宽度随H2流量的增加而增加,随Cu层厚度的增加而减小。
- 吕坤祝柏林李珂胡文超谢铭吴隽
- 关键词：多层膜结构透明导电薄膜光电性能
