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姜艳

作品数：1 被引量：12H指数：1
供职机构：东南大学电子科学与工程学院微电子机械系统教育部重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电阻
  • 1篇VDMOS
  • 1篇MEDICI

机构

  • 1篇东南大学

作者

  • 1篇陈龙
  • 1篇沈克强
  • 1篇姜艳

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
VDMOS的导通电阻模型被引量：12
2008年
导通电阻是衡量VDMOS器件性能的重要参数之一,是高开关效率,低功耗VDMOS器件的主要设计指标。从VD-MOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,如泊松方程,提出了一种建立精确导通电阻模型的方法。采用弧形边界对颈区电阻进行建模;通过考察载流子运动规律,求解泊松方程,结合器件结构与边界条件建立外延层模型。该方法物理概念清晰,规避了经验参数,考虑了器件结构参数对导通电阻的影响。该模型与MEDICI模拟结果相比较有良好的一致性。
姜艳陈龙沈克强
关键词：导通电阻VDMOSMEDICI
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