崔大健
- 作品数：11 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- In_(0.53)Ga_(0.47)As雪崩光电二极管单光子探测器的温度特性研究
- 2022年
- In_(0.53)Ga_(0.47)As雪崩光电二极管单光子探测器(SPAD)的响应覆盖短波950~1700nm,具有体积小、灵敏度高等特点,在量子通信、激光测距、激光雷达等应用有广泛前景。工作温度是影响In_(0.53)Ga_(0.47)AsSPAD性能的重要因素,温度越高暗计数率越大,导致器件的噪声也越大。研究器件温度特性是实现暗计数抑制的重要途径。建立了数学模型来提取器件光电性能参数,通过分析吸收层、倍增层中载流子对温度的影响,获得最优器件结构参数。最后,制作了光敏面直径达到70μm的In_(0.53)Ga_(0.47)AsSPAD芯片,并进行了封装测试。结果显示,70μmIn_(0.53)Ga_(0.47)AsSPAD在室温下的探测效率为14.2%,暗计数率为88.6kHz,噪声等效功率为3.82×10^(-16)W·Hz^(-1/2),仿真结果与测试结果的拟合曲线一致。
- 敖天宏赵江林童启夏柳聪崔大健张承
- 关键词：温度特性
- 级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管暗电流成分分析
- 2020年
- 实验制备了级联倍增InAlAs/InAlGaAs雪崩光电二极管,对二极管暗电流随台面直径和温度的变化进行了研究分析。结合暗电流函数模型,利用Matlab软件对暗电流的各成分进行了数值计算,并仿真研究了芯片结构的缺陷浓度Nt和表面复合速率S对暗电流的影响。结果表明,二极管暗电流主要来自于体暗电流,而非表面漏电流。在工作点偏压90V处,受缺陷影响的缺陷辅助隧穿电流Itat在暗电流中占据了主导,并推算出了芯片结构的缺陷浓度Nt约为1019 m-3、吸收区中的缺陷浓度NInGaAs约为7×1015 m-3。由于芯片结构的缺陷主要来源于InAlAs/InAlGaAs倍增区和InGaAs吸收区,而吸收区缺陷占比很少,因此认为缺陷主要来自于异质结InAlAs/InAlGaAs倍增区。
- 张承黄晓峰迟殿鑫唐艳王立柴松刚崔大健莫才平高新江
- 关键词：暗电流
- 基于倒装焊结构的超宽带光电探测器设计被引量：1
- 2022年
- 设计并研制一种可用于微波光子链路、超快脉冲测量等领域的倒装焊结构超宽带集成型InGaAs光电探测器。探测器芯片有源区直径为6μm,垂直进光。器件的偏置和阻抗匹配网络集成在AlN载体上,通过倒装焊的方式与芯片混合集成,实现了对寄生参数的控制,达到高速、高效率的目的。实测器件响应度为0.6A/W,-3dB截止频率达到70GHz级别。阐述70GHz级别高性能InGaAs PIN光电二极管芯片的设计和倒装结构寄生参数对频率响应的影响,探讨通过控制寄生参数提升频率响应的方法。
- 王立严雪峰黄晓峰董绪峰崔大健
- 关键词：光电探测器倒装焊超宽带垂直入射
- 高速率通信用线列探测器芯片设计
- 2022年
- 阐述一款高速率阵列探测器芯片的设计,通过调整AGaAs材料中Al组分的占比,实现对芯片响应介质波长的调节,完成830~870nm谱响应范围的芯片设计。针对高速率应用,采用了台面结构设计,有效缩短载流子输运时间,利用多层DBR反射结构,指定波长范围内的反射率高达95%以上,单通道最高速率超过10GHz,峰值响应度≥0.50A/W,芯片响应度满足实际应用要求。
- 徐道润肖入彬王立董绪丰任丽黄晓峰崔大健
- 关键词：电子器件
- InP基连续面型方形微透镜设计与制作技术研究
- 2023年
- 建立了非球面连续面型方形口径微透镜性能仿真模型,利用ZEMAX软件对10°视场、50μm周期、填充因子接近100%的磷化铟微透镜面型参数进行了优化设计。开发了衍射调制动态曝光与感应耦合等离子体刻蚀系统误差补偿方法制作出的磷化铟微透镜,其表面粗糙度小于2 nm,面型数据与设计值相比误差小于1/4工作波长,达到完善成像水平。
- 柳聪张为国刘锋崔大健张承黄晓峰高明友刘奎宇朱长林陈益民
- 关键词：填充因子粗糙度
- InGaAs单光子雪崩焦平面研究进展(特邀)
- 2023年
- 雪崩光电二极管(APD)是一种高灵敏度光电器件。按照工作电压的不同可分为线性APD和盖革APD。其中,盖革APD的工作电压高于击穿电压,利用半导体材料内部载流子的高雪崩增益可实现单光子级信号探测,也被称为单光子雪崩光电二极管(SPAD)。InGaAs材料SPAD在0.9~1.7μm光谱范围内有高量子效率,是1.06、1.55μm主动激光探测的理想探测器。通过将高效率InGaAs SPAD阵列芯片与CMOS计时/计数读出电路芯片集成封装,制备的雪崩焦平面探测器可对光子信号进行时间量化,在三维激光雷达、远距离激光通信、稀疏光子探测等领域有广泛应用。介绍了InGaAs单光子雪崩焦平面的器件结构及基本原理,在此基础上回顾了国内外雪崩焦平面技术的研究进展,并对未来发展方向进行了展望。
- 崔大健敖天宏奚水清奚水清高若尧张承雷勇
- 关键词：INGAAS单光子探测器激光通信
- 一种混合集成1×4阵列平衡光电探测器的设计
- 2023年
- 针对合成孔径激光雷达中单个光斑观测视场受限的难题,设计了一种由阵列平衡探测器芯片和阵列跨组放大器芯片混合集成的1×4阵列平衡光电探测器。阵列平衡探测器芯片采用4对背照式InPInGaAs平衡光电二极管单片集成的内平衡结构,降低芯片寄生电容,提高器件的响应频率和一致性。通过倒装集成工艺将阵列平衡探测器芯片和阵列跨组放大器芯片进行集成,缩减像元间距,扩大成像视场。搭建测试系统对进行探测器性能评测,结果显示,其有效像元率达到100%,共模抑制比为33dB,3dB带宽为102MHz,等效噪声功率密度为2.0pW/Hz1/2,增益实现三档可调,整体输出增益一致性为99%,满足合成孔径激光雷达大幅宽成像需求。
- 周浪崔大健黄晓峰任丽陈伟董绪丰彭正鑫严银林
- 关键词：阵列合成孔径激光雷达
- 一种引力波探测用高灵敏度四象限光电探测器被引量：1
- 2021年
- 针对引力波探测空间天线激光干涉仪对四象限光电探测器提出的低噪声、高灵敏度、高带宽的要求,设计了一种四象限光电探测器芯片与读出电路混合集成的低噪声光电探测器。四象限光电探测器芯片采用四个性能一致的双耗尽区InGaAs PIN光电二极管单片集成结构,以降低二极管电容,减小象限间隔,提高灵敏度。通过PSPICE软件对由探测器芯片、低噪声跨阻放大读出电路构成的探测器模块进行了仿真,优化了电路参数,计算出相应的增益、带宽、噪声功率密度。性能测试表明,研制的集成式探测器模的-3dB带宽为28.3MHz,等效噪声功率密度为1.7pW/Hz^(1/2),象限增益一致性为0.76%,基本满足空间激光干涉仪的需求。
- 崔大健李星海余沛玥陈扬任丽刘河山
- 关键词：引力波跨阻放大器
- InP基稀释光波导特性分析
- 2012年
- 从InP基稀释光波导的基本模型出发,利用有限差分波束传播(FD-BPM)算法,推导了InP基稀释光波导的有效折射率,对其进行了数值计算;根据光传输损耗方程,分析了稀释波导传输损耗产生的原因;对稀释光波导中TE/TM模式传输进行了详细的数值分析和模拟计算,并分析了其模场分布曲线。
- 崔大健陈昊黄晓峰高新江
- 关键词：传输特性
- 多模光纤耦合InGaAsP/InP单光子探测器模块被引量：1
- 2021年
- 针对1064nm波段高灵敏激光测距应用,设计了一种由单光子雪崩光电二极管(SPAD)、微型热电制冷器(TEC)、主动淬灭主动恢复电路(AQAR)、温控单元、高压单元、FPGA等混合集成的高性能单光子探测器模块。SPAD芯片采用了分离吸收渐变电荷倍增(SAGCM)的InGaAsP/InP材料结构设计,内部电场分布经Matlab软件仿真,结果显示该结构具有良好的增益特性。SPAD芯片通过TEC制冷保持低温工作来降低暗计数以抑制器件的噪声。低延迟AQAR由高速比较器与宽带放大器构成,淬灭时间约为1.2ns,有效减少了后脉冲效应。测试结果表明,在-30℃,探测效率为30.2%下,暗计数率仅为1.9kHz,在死时间为0.8μs时,后脉冲为10.4%。通过集成化设计的单光子探测器模块具有探测效率高和暗计数率低的优势,能够满足小型化激光测距应用需求。
- 崔大健张承赵江林敖天宏李艳炯严银林
- 关键词：激光测距
