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徐俊

作品数：3 被引量：5H指数：1
供职机构：武汉理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇电沉积
  • 1篇透过率
  • 1篇微观结构
  • 1篇微结构
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化时间
  • 1篇溅射
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇薄膜微结构
  • 1篇ZNS薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 3篇武汉理工大学

作者

  • 3篇夏冬林
  • 3篇徐俊
  • 2篇雷盼
  • 1篇黄波
  • 1篇刘俊
  • 1篇石正忠

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇影像科学与光...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
沉积电位对电沉积ZnS薄膜的影响被引量：3
2012年
采用电沉积方法,在不同沉积电位条件下,在氧化锡铟(ITO)导电玻璃上沉积制备了ZnS薄膜,利用XRD、SEM和UV-VIS测试技术对在不同沉积电位所制备薄膜的晶相结构、表面微观形貌和光学性能进行了表征.研究结果表明:沉积电位在1.5V—1.7V范围内制备的ZnS薄膜呈非晶态,其可见光透过率从60%降低到20%,薄膜的光学带隙约为3.97eV.在沉积电位为2.0V条件下所沉积薄膜为ZnS结晶相和金属Zn混合相,薄膜透过率显著降低.
夏冬林雷盼石正忠徐俊
关键词：ZNS薄膜电沉积透过率光学带隙
化学浴沉积法制备Sb掺杂SnS薄膜被引量：1
2015年
以氯化亚锡、硫代乙酰胺、三氯化锑为反应物,采用化学浴沉积法在玻璃衬底上沉积不同锑掺杂量(摩尔分数)硫化锡(Sn S:Sb)膜,研究了锑掺杂量对薄膜晶相结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:锑掺杂Sn S薄膜是具有正交结构多晶薄膜,薄膜为纳米片组装成的花状球形颗粒。随着Sb掺杂量由1.8%增加到7.2%,其相应的禁带宽度从0.93 e V增加到1.30 e V。随着Sb掺杂量的增加,Sn S薄膜的电阻率呈现先下降后增大趋势,当Sb掺杂量为3.6%时,其最小值为5.21×103?·cm。
夏冬林徐俊黄波
关键词：光电性能
硫化时间对CuInS_2薄膜微结构的影响被引量：1
2012年
采用磁控溅射技术在镀Mo玻璃基片上沉积Cu-In金属预制膜后在N2气氛下硫化制备CuInS2薄膜。研究热处理硫化时间对CuInS2薄膜的表面形貌和晶相结构性能的影响。利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱等测试手段对薄膜的表面形貌和晶相结构进行表征。实验结果表明,采用磁控溅射金属预制膜经适当的时间硫化所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,随着硫化时间的增加,CuInS2薄膜的晶粒的形貌由球形结构向片状结构转化,并且硫化时间越长,所得薄膜的结晶性能越好,但过长的硫化时间会生成Cu-Au相而导致薄膜质量的劣化。
夏冬林徐俊刘俊雷盼
关键词：磁控溅射微观结构
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