李林华
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：贵州工业职业技术学院更多>>
- 相关领域：电气工程一般工业技术更多>>
- 滞环电流控制型大功率LED恒流驱动芯片的设计
- 2015年
- 基于标准CMOS工艺，采用滞环电流控制模式，设计了一款新型大功率LED恒流驱动芯片。在标准CMOS工艺范围内，芯片能够实现良好的恒流驱动功能。结果表明：电源电压从3～5V变化时，输出电流保持良好的一致性，其最大值和最小值之差仅为0．075mA；随着温度的升高，输出电流先增大后减小，在电路工作的整个温度区间内，输出电流仅仅变化0．165mA；在电感为理想电感情况下，当芯片驱动7个LED灯时，效率最高可达90％以上。
- 李林华
- 关键词：滞环电流控制LED恒流驱动电源效率
- 快速热处理中退火温度对Sol-gel法制备PZT铁电薄膜性能的影响
- 2014年
- 利用Sol-Gel法在Pt/TiO2/SiO2/Si基底上用快速热处理(Rapid Thermal Processing,RTP)退火工艺制备出了致密的PZT铁电薄膜,主要研究了在退火时间为500s时退火温度对薄膜的结晶结构、表面形貌和铁电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和铁电测试仪对制备的薄膜进行了性能表征。研究结果表明,当退火温度为6000C时,PZT薄膜具有(111)择优取向,表面致密无裂纹,且具有较好的铁电性能(其饱和极化值约为30 C/cm2,剩余极化约为20 C/cm2,矫顽场约为150KV/cm)。在100KV/cm电场下,电流密度J在10-1A/cm2数量级,表明所制的PZT纳米薄膜质量较好,能承受较高的场强以达到饱和极化状态而不被击穿。
- 胡绍璐赵海臣李林华任丽邓朝勇
- 关键词：退火温度铁电性能
- 滞环电流控制型大功率LED恒流驱动芯片的设计
- 2014年
- 基于标准CMOS工艺,采用滞环电流控制模式,设计了一款新型大功率LED恒流驱动芯片。在标准CMOS工艺范围内,芯片能够实现良好的恒流驱动功能。结果表明,电源电压从3到5V变化时,输出电流保持良好的一致性,其最大值和最小值之差仅为0.075mA;随着温度的升高,输出电流先增大后减小,在电路工作的整个温度区间内,输出电流仅仅变化0.165mA;在电感为理想电感情况下,当芯片驱动7个LED灯时,效率最高可达97.8%。
- 李林华赵海臣胡绍璐杨发顺王代强
- 关键词：滞环电流控制恒流驱动电源效率
