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65nm体硅CMOS工艺抗辐射触发器单元单粒子翻转效应研究: 2017年; 介绍了一种采用M照试验,GEO轨道预估结果 uller-C单元作为输出级的DICE结构触发器,设计了相应的单粒子翻转效应验证电路,以及单粒子效应试验软、硬件系统来对加固效果进行验证。利用北京HI-13加速器进行了Cl、Ti、Cu、Br、I和Au等多种重离子辐照试验,GEO轨道预估结果表明DICE结构触发器单粒子翻转率(2.37×10-10upsets/bit/day)明显小于普通结构触发器单粒子翻转率(2.15×10-8upsets/bit/day),该单粒子翻转效应验证电路及试验系统取得了预期的效果。; 蒋轶虎李海松杨博岳红菊周凤; 关键词：单粒子翻转

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李海松