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杨杨

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇抛光
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇化学抛光
  • 1篇腐蚀速率
  • 1篇表面粗糙度
  • 1篇粗糙度

机构

  • 1篇西北工业大学

作者

  • 1篇介万奇
  • 1篇王领航
  • 1篇傅莉
  • 1篇杨杨
  • 1篇王亚彬

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
HgInTe晶片表面化学抛光研究被引量：4
2009年
对HgInTe(MIT)晶片表面化学抛光工艺进行了研究,采用不同浓度的Br2-C3H7ON以及Br2-MeOH作为抛光液对MIT晶片进行化学抛光后发现,5%Br2-C3H7ON抛光液的抛光速度平稳且易于控制,抛光3min后可以有效去除表面划痕,获得光亮表面,表面形貌达到最佳效果。AFM分析结果表明,5%Br2-C3H7ON抛光后的晶片表面粗糙度降低67%,平整度显著增加。相比之下,5%Br2-MeOH抛光液抛光速度过快,抛光后的表面形貌较差。
杨杨王领航介万奇王亚彬傅莉
关键词：化学抛光腐蚀速率表面粗糙度
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