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胡雨

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：辽宁大学物理学院更多>>
发文基金：沈阳市科技局资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇VDMOSF...
  • 1篇参数设计
  • 1篇P

机构

  • 1篇辽宁大学

作者

  • 1篇石广源
  • 1篇王中文
  • 1篇胡雨

传媒

  • 1篇辽宁大学学报...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
30伏P沟VDMOS场效应管的设计被引量：3
2007年
对于IRF7705型30伏P沟VDMOSFET进行了结构优化设计.给出了该器件的纵向结构和横向结构参数及材料的物理参数.较系统地分析了VDMOSFET的几个重要参数,重点讨论了P沟VDMOSFET的外延层电阻率、外延层厚度、N体区扩散浓度以及各个参数之间的关系,对该类器件的实际生产有一定的指导作用.
王中文胡雨石广源
关键词：VDMOSFET参数设计
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