- BSIT电导调制区的收缩和偶极区的形成
- 2007年
- 对大注入情况下的双极型静电感应晶体管(Bipolar Static Induction Transistor,简称BSIT)的特性作了数值分析。器件尺寸为15000nm×200000nm。分析结果表明,当栅源电压大于0.5V时,在适当的漏源电压下,漏电流就会达到饱和。在大注入情况下,漂移区出现电导调制区(Conductivity-modulation Region,简称CMR),漏源电压很小时,就会导致漏电流的剧增。漏电流的饱和与CMR的收缩有关,漏源电压的增加导致CMR的收缩。在CMR收缩时形成了偶极区,该区域是中性区,其空间大小及其中的电场与漏电压呈线性比例关系。这一关系将导致饱和电流随漏电压成比例地线性变化。
- 杨建红汪再兴张辉闫锐
- 关键词：晶体管电导调制双极型晶体管
- 短漂移区肖特基-p-i-n混合整流二极管(MPS)的电学特性研究被引量：1
- 2006年
- 肖特基-p-i-n整流二极管(MPS)的作用机制比较复杂．采用数值模拟的方法研究MPS的工作机制,清晰地给出了肖特基势垒、p-n结势垒以及两种势垒共同作用下器件内部电势、载流子浓度分布和电压-电流特性．结果表明:在MPS阳极区(p+区)注入空穴的作用和肖特基势垒与p-n结势垒双重作用下,器件的电势将主要降低在肖特基结上;形成的电导调制区在饱和时变化很小,整个器件内电阻为准常数．
- 韩颖晖汪再兴闫锐杨建红
- 关键词：MPSP-I-N电导调制肖特基势垒
