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冉祥

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金高等学校全国优秀博士学位论文作者专项资金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电沉积
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇脉冲电沉积
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇纳米晶
  • 1篇NI

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇傅强
  • 1篇张晗
  • 1篇潘春旭
  • 1篇鲍桥梁
  • 1篇祁祥
  • 1篇冉祥

传媒

  • 1篇新型炭材料

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
利用电沉积Ni纳米晶制备无缠绕阵列碳纳米管被引量：4
2008年
以金属Cu基板上脉冲电沉积Ni纳米晶薄膜作为催化剂,在乙醇火焰中制备了直立、无缠绕阵列碳纳米管。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电镜(TEM)和激光拉曼谱仪(Raman)对不同工艺制备的Ni纳米晶薄膜和阵列碳纳米管的形貌进行了表征。结果表明:通过综合控制脉冲电沉积参数、电沉积时间和火焰中的合成时间,可以获得大面积、密集、均匀、直立、无缠绕、形态良好、重复性高的阵列碳纳米管。脉冲电沉积Ni纳米晶和合成无缠绕阵列碳纳米管的最佳工艺条件是:脉冲电沉积正、负脉冲的工作频率为154Hz、占空比为38.5%、电沉积时间为1min、基板预热至600℃、火焰中停留1min。通过对生长机理的研究发现:当电沉积时间较短时,获得的Ni纳米晶薄膜较薄,具有较高的局域粗糙程度和催化活性,有利于碳纳米管的同时大面积"拥挤生长"形成阵列结构;另外,通过调整脉冲电沉积参数,可以控制Ni纳米晶的大小,从而控制碳纳米管的长径比,当长径比较小时即可获得无缠绕的阵列碳纳米管。
鲍桥梁冉祥张晗祁祥傅强潘春旭
关键词：脉冲电沉积纳米晶碳纳米管
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