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刘娇

作品数：5 被引量：8H指数：2
供职机构：贵州大学更多>>
发文基金：贵州省科技计划项目博士科研启动基金贵州省科学技术基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 3篇恒流
  • 3篇恒流二极管
  • 3篇二极管
  • 1篇低功耗
  • 1篇电路
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇电学性能
  • 1篇运算放大器
  • 1篇占空比
  • 1篇转换器
  • 1篇自适
  • 1篇自适应
  • 1篇温度特性
  • 1篇校准
  • 1篇斜坡补偿
  • 1篇斜坡补偿电路
  • 1篇脉宽调制
  • 1篇模数转换
  • 1篇模数转换器

机构

  • 5篇贵州大学

作者

  • 5篇刘娇
  • 3篇杨发顺
  • 3篇丁召
  • 2篇马奎
  • 1篇傅兴华
  • 1篇郝红蕾
  • 1篇刘萌
  • 1篇刘雪飞
  • 1篇程刚

传媒

  • 3篇电子设计工程
  • 1篇微电子学

年份

  • 4篇2015
  • 1篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种降压型DC-DC变换器动态斜坡补偿电路的设计被引量：4
2013年
提出了一种新型动态斜坡补偿方法,解决了在PWM峰值电流模式下工作的降压型DC-DC变换器在占空比大于50%时出现次谐波振荡的问题。该方法可以随着占空比的变化而实时调节补偿斜率。电路通过tsmc018rf CMOS工艺仿真,结果表明,固定输出电压为1.8V,对输入电压从2.5V到3.5V扫描时,补偿斜率逐渐减小;同样地,固定输入电压为3.3V,对输出电压从2.5V到1.6V扫描,补偿斜率逐渐增大。仿真结果验证了该方法的可行性。
刘雪飞丁召郝红蕾程刚刘娇杨发顺
关键词：自适应占空比脉宽调制
硅基恒流二极管的设计
随着日常生活中电子产品应用的普及以及半导体分立器件产业的高速发展，使得恒流源面临着性能更精确、更稳定的挑战。作为硅恒流器件中最具典型的代表之一，恒流二极管具有恒流性能好，开启电压低，高击穿电压和高稳定性等电学优点而且价格...
刘娇
关键词：半导体工艺电学性能
逐次逼近(SAR)模数转换器进展被引量：2
2015年
介绍了逐次逼近模数转换器(SAR-ADC)的原理结构和研究现状,主要对SAR-ADC中的DAC、比较器、校准方法等主要模块进行了讨论。基于精度、速度、功耗的考虑,分别对SAR-ADC中的DAC结构进行分析比较,其多采用分段电容阵列或差分电容阵列。简述了比较器在功耗、速度、精度方面的结构调整。基于降低非理想效应,提高精度目的,对比分析了3种校准方法。为不同电路选择适当校准提供参考依据。最后总结了目前SAR-ADC的发展趋势。
刘萌马奎刘娇傅兴华
关键词：模数转换器DAC比较器校准
基于恒流二极管(CRD)的运算放大器低功耗研究
2015年
基于CRD对741双极型通用集成运放进行改进研究,通过CRD替代双极型集成运算放大器(OPAMP)输入级及偏置电路中做为恒流源的双极型器件,并利用Multisim 10和Cadence进行设计与仿真。结果表明,当电源电压改变时,双极型运算放大器输入级电流在0.290 m A到0.433 m A变化,而基于CRD的差分输入级电流恒定在0.239 m A到0.244 m A之间,且电流变化只有0.005 m A。当电源电压恒定在13 V时,双极型运算放大器偏置电流达到0.739 m A,而基于CRD偏置电路电流只有0.222 m。由此可知,基于CRD的运算放大器能实现更低功耗。
邹序武丁召杨发顺刘娇
关键词：恒流源OPAMP低功耗
沟道掺杂浓度对恒流二极管电学特性的影响被引量：1
2015年
设计了一种基于N-JFET结构的恒流二极管,分析了其沟道掺杂浓度与恒流值、开启电压、击穿电压以及温度特性之间的关系。利用SILVACO仿真软件对恒流二极管沟道掺杂分布进行优化设计,最终得到一个开启电压为2 V,击穿电压大于90 V,恒流值为40 m A,温度系数为-0.33%/K的恒流二极管。
刘娇丁召杨发顺马奎
关键词：恒流二极管温度特性
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