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张宁

作品数:16 被引量:3H指数:1
供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
发文基金:国家部委资助项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术文化科学更多>>

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇水利工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇晶圆
  • 5篇芯片
  • 5篇刻蚀
  • 4篇刻蚀工艺
  • 3篇堆叠
  • 3篇划片
  • 3篇键合
  • 3篇干法刻蚀
  • 2篇单芯片
  • 2篇多芯片
  • 2篇掩模
  • 2篇氧化硅
  • 2篇正性
  • 2篇通孔
  • 2篇芯片结构
  • 2篇基板
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 2篇硅晶
  • 2篇硅晶圆

机构

  • 16篇西安微电子技...

作者

  • 16篇张宁
  • 4篇李宝霞
  • 1篇张遂南
  • 1篇唐磊
  • 1篇黄慧敏
  • 1篇潘鹏辉
  • 1篇饶张飞
  • 1篇余国强

传媒

  • 1篇内蒙古科技与...
  • 1篇计算机工程
  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 6篇2022
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2016
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种凸点制备方法
本发明公开了一种凸点制备方法,包括:在载板的表面制作粘附层;按照待制备凸点的图形化阵列,向所述粘附层上放置焊料;在芯片的表面制作粘附层,将所述芯片上的粘附层朝向所述焊料,使得所述芯片上的粘附层与所述焊料接触;向所述芯片施...
胡佳伟张宁严秋成吴道伟
一种晶圆解键合方法
一种薄晶圆解键合方法,包括以下步骤:步骤一、将硅晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除;步骤二、将硅晶圆与载片解键合。步骤一所述的刻蚀去除方法包括在晶圆侧制备掩模层,所述的掩模层材料采用正性或负性光刻胶,通过曝光及显影过...
吴道伟张宁霍瑞霞刘建军
文献传递
一种单芯片DAF胶带粘晶方法
本发明公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法,属于半导体封装技术领域,通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上,实现单芯片与DAF胶带的贴合,然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明的实施,有效解决...
梅志鹏岳永豪张宁
文献传递
一种晶圆的多层堆叠键合方法
本发明公开了一种晶圆的多层堆叠键合方法,属于半导体集成封装技术领域。键合顺序:第一层、第二层晶圆正面工艺‑第一层、第二层晶圆键合‑一侧晶圆减薄及背面工艺‑另一侧晶圆减薄及背面工艺‑第三层晶圆正面工艺及第二层与第三层晶圆键...
张宁吴道伟霍瑞霞
ERP系统在企业费用报销的应用研究
2024年
随着科技的飞速发展,企业会计信息化水平得到了全面提升,ERP系统在企业得到了广泛应用,特别是在财务费用报销方面。文章分析了企业ERP系统费用报销的优势及存在的问题,并提出了企业财务费用报销无纸化、审核智能化和一站式报销的优化路径。
张宁
关键词:ERP系统企业费用报销
基于FPGA的星载高速数据复接器的复接模块设计
2020年
随着空间科学技术的发展,载荷数据种类和数据传输速率不断提高与数据处理传输能力不足之间的矛盾日益凸显,为了解决这一问题,设计了一种基于CCSDS AOS协议的星载数据复接器设计方案.该设计方案能够通过LVDS接口接收实时遥测数据,回放数据,以及1553B总线数据,通过RS422接口接收工程遥测数据,话音数据,并将以上各路数据复接组帧加扰下行.
楚文玉曲翕吴铭张宁
一种用于三维堆叠封装结构的毛细管底部填充方法
本发明公开了一种用于三维堆叠封装结构的毛细管底部填充方法,包括对多个倒装芯片进行堆叠键合得到三维堆叠封装结构,在围堰装置内涂抹脱模剂,将三维堆叠封装结构放置在围堰装置内,使用耐高温双面胶带或耐高温双面胶水将三维堆叠封装结...
詹莉昕张宁李宝霞刘敏娜
基于多冗余可重构的上面级箭载计算机技术被引量:3
2016年
针对上面级火箭强实时性、高可靠性和空间抗辐射的要求,提出一种基于多冗余可重构的计算机技术。描述上面级箭载计算机体系构架、工作模式、冗余重构、自主恢复、抗辐照设计等关键技术,运用多模冗余、可重构、自主恢复等进行上面级箭载计算机设计,从而提高上面级箭载计算机空间环境下的可靠性。实验结果表明,上面级箭载计算机可容忍双余度故障并对故障进行有效的检测,故障机自主恢复时间小于8 s。
曲翕黄慧敏张宁余国强
关键词:上面级可重构故障检测单粒子翻转
一种晶圆级纳米尺度计量标准器及其制造方法
本发明公开了一种晶圆级纳米尺度计量标准器及其制造方法,属于纳米几何量计量标准器制造领域。一种晶圆级纳米尺度计量标准器及其制造方法,在现有电子束光刻制备标准样片的基础上,通过光刻工艺在6寸、8寸或12寸的晶圆上制作与标准样...
饶张飞吴道伟张宁金红霞秦凯亮
一种晶圆解键合方法
一种薄晶圆解键合方法,包括以下步骤:步骤一、将硅晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除;步骤二、将硅晶圆与载片解键合。步骤一所述的刻蚀去除方法包括在晶圆侧制备掩模层,所述的掩模层材料采用正性或负性光刻胶,通过曝光及显影过...
吴道伟张宁霍瑞霞刘建军
文献传递
共2页<12>
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