张达
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：天津理工大学理学院材料物理研究所更多>>
- 发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 利用原子力显微镜制备短沟道有机场效应晶体管器件的研究被引量：2
- 2012年
- 利用原子力显微镜(AFM)探针直写技术制备了短沟道并五苯有机场效应晶体管(OFET),并研究了器件性能。在SiO2/n+-Si基底上,利用AFM探针刻蚀金沟道,通过优化工艺参数,获得的沟道长约1μm,器件的场效应迁移率为0.038cm2.V-1.S-1,开关比为103,输出电流最高可达200μA。结果表明,器件性能强烈依赖于沟道长度,随着沟道长度减小,输出电流显著增加。
- 张达赵恺邓家春
- 关键词：并五苯短沟道
- 有机场效应晶体管输出特性的衰变与恢复被引量：1
- 2011年
- 制作了以并五苯作为有源层的有机场效应晶体管(OFETs)。实验观察表明,在原位条件下,器件有很好的输出特性曲线;但在空气中放置3个月后,输出特性曲线明显衰退,并且关态电流增大;为恢复器件性能,在真空条件下,对器件进行加热处理。实验结果表明,经过热处理的晶体管输出特性极大改善。因此,真空热处理可以使衰退器件的输出特性得到恢复。
- 戚辉刘爱华姜春霞闫齐齐张达曾宪顺邓家春印寿根
- 关键词：并五苯衰变
