杨法明
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 供职机构：贵州大学理学院电子科学系更多>>
- 发文基金：贵州省高层次人才科研条件特助经费项目贵州省科学技术基金贵州大学自然科学青年科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 嵌套式斩波运放的分析与设计被引量：2
- 2012年
- 针对传统的斩波运放具有大残余失调的特点,设计了一个嵌套式斩波运放。基于SMIC0.18μm工艺,通过Spectre仿真工具进行验证与仿真,运放的开环增益达到78.3dB,共模抑制比达到112dB。在斩波频率fchophigh=10kHz、fchoplow=500Hz的条件下,通过使用非匹配斩波开关,分别对单斩波和嵌套式斩波运放进行仿真。结果表明,嵌套式斩波技术能有效减小残余失调的影响。适用于带宽较低的微弱信号检测与处理电路,如传感器前端读出电路和音频信号放大电路等。
- 张锗源杨发顺杨法明张荣芬邓朝勇
- 关键词：纹波
- 高压超结VDMOS结构设计被引量：1
- 2012年
- 为改善高压功率VDMOS击穿电压和导通电阻之间的平方率关系,采用超结理论及其分析方法,结合电荷平衡理论,计算了超结VDMOS的理想结构参数,并利用仿真软件SILVACO对超结VDMOS的各个工艺参数(外延厚度,P柱掺杂剂量,阈值电压)进行了优化设计,对器件的正向导通特性和反向击穿特性进行了仿真分析。最终设计了一个击穿电压为815V,比导通电阻为23mΩ.cm2的超结VDMOS。
- 杨法明杨发顺丁召傅兴华邓朝勇
- 关键词：电荷平衡反向击穿
- 功率VDMOS器件的研究与发展被引量：7
- 2011年
- 简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点介绍了几种新型器件结构(包括沟槽栅VDMOS、超结VDMOS、半超结VDMOS)的工作原理和结构特点,以及其在制造工艺中存在的问题。对不同器件结构的优缺点进行了比较分析。对一些新型衍生结构(包括侧面多晶硅栅VDMOS、边氧沟道VDMOS和浮岛VDMOS)的特点进行了分析,叙述了新型SiC材料在VD-MOS器件中应用的最新进展,并指出了存在的问题和未来发展趋势。
- 杨法明杨发顺张锗源李绪诚张荣芬邓朝勇
- 关键词：击穿电压导通电阻SIC材料
