王川宝
- 作品数：19 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片，该方法包括：在半导体芯片第一区域的上表面形成第一SiN层；其中，所述第一区域包括压点之外的区域，或所述第一区域包括所述压点之外的区域和所述压点...
- 付兴中王川宝廖龙忠吕树海张力江崔玉兴
- 文献传递
- GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN基HEMT器件源场板的制备方法及HEMT器件，所述方法包括：在器件上表面依次生长第一厚度的SiN层和第二厚度的SiO<Sub>2</Sub>层；去除所述SiO<Sub>2</S...
- 默江辉王川宝苏延芬崔雍宋洁晶崔玉兴
- 文献传递
- 碳化硅晶圆高温磁控溅射制备铝薄膜异常结晶现象
- 2024年
- 在碳化硅表面使用高温磁控溅射法制备铝薄膜过程中有时会出现异常“斑点”现象,针对出现该异常现象可能的原因进行了研究,确认其主要因素为溅射温度和溅射功率,SiC表面状态和金属体系对异常现象的出现影响很小。采用白光干涉仪测定正常和异常区域表面形貌和粗糙度,结果表明“斑点”区域粗糙度明显低于正常区域,两者分别为1.7和5.6 nm。采用聚焦离子束分析技术对比剖面结构差异,发现“斑点”区域存在明显晶粒合并现象,金属表面晶界比正常区域少很多。“斑点”形成的可能原因是沉积过程温度过高,导致Al膜沉积初始成核过程中大量晶核合并、晶界消失,从而表面粗糙度显著降低。
- 王川宝默江辉默江辉王帅张力江王帅
- 关键词：磁控溅射
- GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种GaN芯片的烧结方法及待烧结的GaN芯片，该方法包括：在GaN芯片的背面生长第一金属；在所述第一金属层的表面生长Au金属层；在所述Au金属层与待烧结区域对应的区域的表面生长Au/Sn...
- 王川宝李亮王强栋马杰付兴中崔玉兴
- 文献传递
- 5G基站用740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的研制
- 2024年
- 为了提升740MHz~960MHz 705W GaN功率器件的输出功率和抗失配能力,对GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)和GaN功率器件进行设计,采用双场板技术和背面通孔技术解决器件击穿电压低和抗负载失配能力差的问题。同时,基于预匹配技术和金属陶瓷封装技术,成功研制出Dohert结构的GaN功率器件。对设计出的GaN功率器件进行测试,在工作电压为48V、工作频段为740MHz~960MHz的条件下,实现输出功率达到708W,带内功率附加效率最高达77.8%,功率增益大于16.5dB,抗失配能力达到5:1的性能指标。
- 闫锐默江辉王川宝王川宝付兴中张力江
- 关键词：功率器件场板
- 硅基三维电容及其制作方法
- 本发明提供一种硅基三维电容及其制作方法，其中制作方法包括在一硅衬底的表面制备一层介质掩膜层，并在介质掩膜层上刻蚀多个间隔排列的刻蚀微孔直至露出硅衬底；采用深硅刻蚀工艺，对多个间隔排列的刻蚀微孔进行刻蚀，以形成多个间隔排列...
- 杨志董春晖崔玉兴王敬轩韩孟序王川宝王帅王敏康建波解涛杨双龙王利芹商庆杰李亮张丹青丁现朋李庆伟张发智刘青林刘冠廷冯立东于峰涛宋红伟任永晓王国清杜少博
- 微带电路调试方法及调节模块
- 本发明提供了一种微带电路调试方法及调节模块，包括：制作调节模块，调节模块为金属块状物，金属块状物的宽度小于等于待测微波器件波长的四分之一，组装微波测试系统，将一个或多个调节模块放置在微带电路上；调试：借助绝缘夹将调节模块...
- 默江辉王川宝马杰张力江崔玉兴高永辉徐守利蔡树军卜爱民
- 微孔互连无氰电镀金工艺研究
- 2016年
- 针对高深宽比互连微孔内金镀层存在空洞问题，使用挂镀电镀台和喷镀电镀台在不同电流密度下进行了微孔互连电镀实验，研究了两种电镀台电镀过程中镀液流场的差异，分析了两种电镀台电镀结果存在明显差异的原因。采用FIB对电镀样品互连孔的剖面进行观察，结果显示，使用喷镀电镀台电流密度为0．2ASD时，介质孔内金镀层未见空洞，金镀层与介质孔壁之间无裂纹。确定介质孔内金镀层形成空洞的原因为：随着电镀进行，介质孔内镀液浓度降低，镀速下降，逐渐形成“自掩蔽”空洞。喷镀电镀具有可以促进孔内镀液交换，实现高深宽比微孔实心镀金的优势，是今后微孔实心电镀发展的重要方向之一。
- 王川宝胡泽先王伟
- 晶圆无氰电镀金厚度均匀性研究被引量：2
- 2016年
- 针对晶圆正面无氰电镀金均匀性差的问题,通过分析电镀均匀性的影响因素,设计单因素对比实验,研究了晶圆挂镀无氰镀金工艺中阴极扎针个数、阴阳极距离、均匀性挡板开孔尺寸四个因素对正面镀金层厚度均匀性的影响,分析了各因素的影响机理。确定最佳工艺条件为：压四根针,阴极抖动频率为40次/分钟,均匀性挡板开孔尺寸为70cm。生产过程中镀层目标后的为4μm时,均匀性可控制在0.23m以内。
- 王川宝王强栋刘相伍
- 关键词：晶圆
- 碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管
- 本发明提供了一种碳化硅肖特基接触的制备方法及碳化硅肖特基二极管，属于半导体制备领域，包括：在碳化硅圆片表面沉积介质保护层；在介质保护层上涂覆一层光刻胶，对肖特基接触区域进行光刻，露出需要蒸发的肖特基接触金属区域；在碳化硅...
- 崔玉兴刘佳佳付兴中王川宝胡多凯
- 文献传递
