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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇LDMOS
  • 1篇阻抗匹配
  • 1篇微波
  • 1篇功放
  • 1篇功放器
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大器
  • 1篇仿真
  • 1篇放大器
  • 1篇RF_LDM...

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇王涛
  • 1篇顾吉
  • 1篇唐剑平
  • 1篇徐政
  • 1篇杨树坤
  • 1篇李俊

传媒

  • 2篇电子与封装

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
RF LDMOS器件仿真与单元设计被引量:1
2011年
RF LDMOS器件在GSM/CDMA移动通讯基站、数字广播电视发射、射频通讯领域应用广泛,RF LDMOS在这些领域中的地位类似于CPU在计算机和互联网领域的核心地位。尤其,RF LDMOS器件对于国防科技和军事通讯领域的意义显得更为突出。对于RF LDMOS器件进行仿真研究是当今半导体领域研制产品常用的方法。这样不但可以节约大量的人力物力财力,更为重要的是可以节约产品的开发时间,加快产品的推出和更新换代。文中采用Silvaco软件对RF LDMOS进行仿真,该器件采用0.35μm标准CMOS工艺,二层多晶场板结构,漂移区长度4.5μm,通过优化工艺条件及器件结构,实现了100V的击穿电压,射频功率密度可达1.4W/mm。
顾吉王涛徐政
关键词:仿真LDMOS
LDMOS微波功放器设计被引量:3
2013年
文章首先从功放器的合理选择、功放器工作状态的确定和功放器匹配电路的设计三个角度讨论了在设计功率放大器电路方案时应该考虑的不同因素。然后以实际项目需要的微波功率放大器为例,根据产品的技术指标要求,结合在做微波放大器设计和生产中积累的经验,设计了一款工作在P波段,典型增益在15 dB的功率放大器,通过合理选择功放器及其工作状态,设计电路结构、阻抗匹配,最终该功放具有输出功率稳定、增益平坦度小、线性度高、可靠性高等特点。
杨树坤李俊唐剑平王涛
关键词:功率放大器阻抗匹配LDMOS
共1页<1>
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