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苏鹏飞

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇损伤层
  • 1篇翘曲度
  • 1篇厚度变化
  • 1篇硅

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇马玉通
  • 1篇杨洪星
  • 1篇何远东
  • 1篇苏鹏飞

传媒

  • 1篇电子工业专用...

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
多线切割工艺对研磨去除量的影响被引量：3
2016年
大直径硅片的研磨去除量成为评价多线切割工艺水平的关键技术指标,也有利于研磨工序单位成本的降低;切片损伤层深度是决定全片研磨去除量的主要因素,而切片几何参数是决定局部研磨去除量的主要因素。通过对多线切割工艺中切片损伤层深度控制以及几何参数的控制,从而降低晶片的研磨去除量。
苏鹏飞杨洪星何远东马玉通
关键词：硅损伤层翘曲度
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