陈诗静
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法
- 本发明涉及一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法；首先在惰性气体手套箱中进行高纯Cd、Ge、As单质的称料和装料；接着在真空排气台上利用高纯Ar气多次清洗生长坩埚，最后充入适当压力的Ar惰性气体以抑制组分挥发。采用类单温...
- 王振友吴海信毛明生倪友保黄昌保陈诗静马佳仁
- 文献传递
- 高纯硒化镉(CdSe)多晶原料的合成研究被引量：1
- 2017年
- 硒化镉(CdSe)是一种重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在核辐射探测、非线性频率转换等方面都有着重要的应用。高纯原料是生长优质CdSe单晶,实现上述应用的基础,但目前合成方法存在效率低、纯度不高等缺点。为此实验室对传统高温元素合成法进行优化,利用理论计算的反应温度点为指导,辅以外部加压,控制内外压差,有效实现原料的批量、安全合成,单次可合成200 g,经粉末衍射(XRD)、综合热分析(TG/DTA)、等离子发射光谱仪(ICP)等测试,合成的原料质量较好,能生长出较大尺寸单晶。文中对合成过程可能的纯度影响因素及控制措施也进行了相应讨论。
- 倪友保陈诗静吴海信张春丽黄昌保王振友
- 关键词：硒化镉多晶合成
- 改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶被引量：4
- 2017年
- 采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为15 mm×35 mm的完整Cd Se单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,Cd Se单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比;晶体在2.5~20.0μm红外波段范围内的透过率T>65%,吸收系数α<0.1 cm-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的III-V、II-VI族晶体,会有所帮助。
- 张春丽吴海信倪友保黄昌保王振友陈诗静
- 关键词：晶体生长性能检测
- 长波红外晶体CdSe的高压熔体法生长
- 8～14 μm的远红外激光在民用和军事领域有重要的应用。硒化镉(CdSe)具有透光波段宽(0.75～25μm)、光损伤阈值高(>50MW/cm2,20ns,2.0μm)、机械性能好(Mohs硬度为3.5)、吸收系数低(<...
- 陈诗静
- 文献传递
- 高压熔体法生长高质量CdSe单晶被引量：1
- 2018年
- CdSe晶体是一种性能优异的非线性光学材料，但目前常规的生长方法很难生长出高质量单晶。本实验在理论推导的基础上，采用高压熔体法生长出了较大尺寸的CdSe晶体棒，并采用X射线衍射仪、能谱分析仪、腐蚀坑观察、Fourier变换红外光谱仪对单晶性能进行表征。结果表明：高压熔体法生长的CdSe单晶组分接近理想化学计量比（CdSe0.989），且具备结构完整、位错密度小（10^4/cm^2）、结晶质量高（FWHM≤0.1°）、吸收系数低（0.03cm^-1以内），有望用于非线性光学频率转换实验。
- 陈诗静黄昌保倪友保吴海信王振友
- 关键词：分解率
- 一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法
- 本发明涉及一种三元黄铜矿半导体晶体砷锗镉制备方法；首先在惰性气体手套箱中进行高纯Cd、Ge、As单质的称料和装料；接着在真空排气台上利用高纯Ar气多次清洗生长坩埚，最后充入适当压力的Ar惰性气体以抑制组分挥发。采用类单温...
- 王振友吴海信毛明生倪友保黄昌保陈诗静马佳仁
- 文献传递
