高东文
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>
- 一种非晶态‑纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其制备方法
- 一种非晶态‑纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其制备方法，属于电致变色技术领域。利用元素掺杂和控制调整平均配位数方法，通过优化脉冲激光沉积法制备(ITO)<Sub>x</Sub>(Nb<Sub>2</Sub>O...
- 王丽苏雪琼李树峰李宬汉高东文
- 压强对脉冲激光沉积ZnSe:Co薄膜性质的影响研究
- 2023年
- 采用脉冲激光沉积技术在真空腔中制备了ZnSe:Co薄膜。研究了沉积压强对等离子体羽辉传播、薄膜表面形貌,微结构以及光学性质的影响。结果表明,随着压强的增大,等离子体羽辉在空间的传播距离减小,薄膜沉积方式由溅射式沉积转变为吸附式沉积,薄膜的结晶质量得到大幅提升。此外,薄膜的光学带隙随压强的增大而减小,低压条件下制备的薄膜具有较大的带隙值,这与量子限域效应有关。当压强增大到10 Pa时,得到了沿(111)方向择优生长且结晶质量优秀的微晶薄膜。
- 李树锋王丽高东文
- 关键词：脉冲激光沉积压强
- 一种非晶态-纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其制备方法
- 一种非晶态‑纳米晶复合结构的铟锡铌镓氧化物电致变色薄膜及其制备方法，属于电致变色技术领域。利用元素掺杂和控制调整平均配位数方法，通过优化脉冲激光沉积法制备(ITO)<Sub>x</Sub>(Nb<Sub>2</Sub>O...
- 王丽苏雪琼李树峰李宬汉高东文
- 文献传递
- 一种基于非晶态‑纳米晶复合结构的柔性电致变色器件及其制备方法
- 一种基于非晶态‑纳米晶复合结构的柔性电致变色器件及其制备方法，属于电致变色技术领域。包括柔性衬底、非晶态透明导电层、非晶‑纳米晶复合结构电致变色层和离子导电层。其中柔性透明衬底为PET或PDMS，非晶态透明导电层为(In...
- 王丽苏雪琼李树峰李宬汉高东文
- 文献传递
- 过渡金属离子掺入硫系基质材料的薄膜光学性质研究
- 硫系玻璃是位于元素周期表中VIA族的S、Se、Te元素为主，再与一些类似金属元素制备的玻璃。目前来说，对硫系玻璃材料掺杂改性是材料研究的一个重要方向。近年来，过渡金属离子在硫系玻璃中的掺杂引起了人们的广泛关注，掺杂过渡金...
- 高东文
- 关键词：脉冲激光沉积
- 一种基于非晶态-纳米晶复合结构的柔性电致变色器件及其制备方法
- 一种基于非晶态‑纳米晶复合结构的柔性电致变色器件及其制备方法，属于电致变色技术领域。包括柔性衬底、非晶态透明导电层、非晶‑纳米晶复合结构电致变色层和离子导电层。其中柔性透明衬底为PET或PDMS，非晶态透明导电层为(In...
- 王丽苏雪琼李树峰李宬汉高东文
- 文献传递
- 一种改变半导体材料PN型的方法
- 一种改变半导体材料PN型的制备方法，涉及半导体材料领域。将硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜，通过控制制备条件，达到控制基片上半导体薄膜PN型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术完成薄膜的制备，基片选择使...
- 王丽高东文苏雪琼王进
- 基片温度对脉冲激光沉积ZnS:Co薄膜微结构及光学性质的影响研究
- 2023年
- 采用脉冲激光沉积技术在石英基片上制备了ZnS:Co薄膜,改变制备过程中石英基片的温度TS,研究了基片温度对薄膜微结构及光学特性的影响。随着基片温度的升高,薄膜的厚度减小,结晶质量得到提升,并朝着(111)方向择优生长。受量子限域效应的影响,薄膜的光学带隙在基片温度为TS=25℃时最大为3.83 eV,光学带隙先随基片温度增大而减小,并在基片温度为400℃时取得最小值3.5 eV,此后随基片温度增大而增大。此外,薄膜的折射率、消光系数、介电系数等光学参数随基片温度升高均有增大趋势。实验表明在基片温度达到400℃以上时,可以获得综合性能较好的微晶薄膜。
- 李树锋王丽高东文
- 关键词：脉冲激光沉积基片温度
- 硫系材料Mo:Ga2O3:ZnS/Se的制备及其特性研究
- 硫系材料在材料研究中具有独特的优越性,受到了人们的广泛重视。硫系材料具有很弱的结构键能。因此,在高能条件下,硫系材料容易产生吸收能量后辐射出新能量的效应。这些特点使得硫系材料在中远红外传输方面表现出优异的性能,比如三次非...
- 高东文
- 关键词：量子点
- 一种改变半导体材料PN型的制备方法
- 一种改变半导体材料PN型的制备方法，涉及半导体材料领域。将硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜，通过控制制备条件，达到控制基片上半导体薄膜PN型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术完成薄膜的制备，基片选择使...
- 王丽高东文苏雪琼王进
- 文献传递
