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岳萍

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：北京信息工程学院传感技术研究中心更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子技术
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇SI
  • 1篇KOH
  • 1篇MEMS

机构

  • 1篇北京信息工程...

作者

  • 1篇刘宇
  • 1篇张福学
  • 1篇毛旭
  • 1篇岳萍

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究被引量：2
2006年
采用恒温磁力搅拌的方法,在KOH溶液中湿法刻蚀Si。在掩模层为SiO2时,研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明:在110℃、30%的KOH溶液下,刻蚀Si(100)可以得到4.0μm/min的刻蚀速率,Si(100):SiO2的刻蚀速率比为550:1,Si(100):Si(111)的刻蚀速率比为90:1,而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。
刘宇毛旭岳萍张福学
关键词：电子技术MEMS湿法刻蚀KOH
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