崔永宏
- 作品数：8 被引量：18H指数：3
- 供职机构：陕西科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术电气工程动力工程及工程热物理更多>>
- 添加剂离子半径对ZnO压敏电阻非线性系数的影响被引量：6
- 2016年
- 分析了添加剂离子半径(R_i)对氧化锌(ZnO)压敏电阻最大非线性系数(α_(max))的影响。通过数据分析和曲线拟合得到α_(max)与R_i之间的函数关系,同时发现了Ri和锌离子(Zn^(2+))半径之间的相对偏差(△R_(rel))对α_(max)值的影响规律。结果表明:α_(max)与R_i之间满足特定的函数关系,通过该函数关系计算得到的α_(max)值能够和相关文献中报道的实际非线性系数(α_(rea))吻合;压敏电阻的α_(max)值随着△R_(rel)的增大而增大,当△R_(rel)大于30%时,其增大程度开始变缓,此时ZnO压敏电阻的α_(max)值大于64。对于R_i不同而△R_(rel)相同的2种添加剂离子,R_i大于Zn^(2+)半径的添加剂掺杂的ZnO压敏电阻的α_(max)值较大。从固溶体的形成机理和能量最低原理方面解释了以上现象。
- 刘建科陈永佳崔永宏韩晨张诚范亚红梁楚轩
- 关键词：氧化锌压敏电阻
- 铜线材热膨胀系数的理论分析和实验研究被引量：3
- 2016年
- 分析了面心立方结构晶体铜线材的热膨胀系数随温度的变化关系。采用精密仪器DIL402PC热膨胀仪测定了铜的热膨胀系数，得到在100℃到380％之间铜的热膨胀系数基本保持在2．0836×10^-5／℃，比通常实验室条件下测得的结果稍大。温度大于380℃时，铜的热膨胀系数随温度呈线性增加。理论分析与实验测定的结果基本一致，说明应用此理论亦可以解释其它面心结构晶体的热膨胀系数。
- 刘建科崔永宏
- 关键词：计量学热膨胀系数
- 基于SVPWM光伏并网逆变器漏电流抑制研究被引量：3
- 2016年
- 漏电流抑制是非隔离光伏并网系统需要解决的关键问题之一。为进一步改善漏电流的抑制效果,在充分考虑所有寄生参数的前提下,重点建立了非隔离型三相两电平光伏逆变器共模等效模型,分析了漏电流产生的原因,并基于SVPWM实现逆变控制,对采用不同开关方式下的漏电流进行分析对比。利用Matlab/simulink仿真验证了所建模型以及理论分析的正确性。
- 刘建科韩晨于克锐陈永佳崔永宏张诚
- 关键词：光伏并网逆变器寄生参数SVPWM
- 高吸收抗脉冲ZnO–Pr6O11系和ZnO–Bi2O3系压敏电阻性能的研究
- 随着现代科技的发展，电器、电子产品在各行各业以及人们的日常生活中得到了广泛的应用。在电器、电子产品和电力系统运行过程中，压敏电阻作为一种过电压保护器，能够吸收过电压引起的脉冲电压，从而保证了设备的正常工作。本课题主要从物...
- 崔永宏
- 关键词：压敏陶瓷烧结温度
- 文献传递
- V_2O_5掺杂对ZnO–Pr_6O_(11)基压敏电阻微观结构和电学性能的影响被引量：3
- 2017年
- 研究了V_2O_5掺杂对ZnO–Pr_6O_(11)基压敏电阻微观结构、电性能的影响。研究表明:随着V_2O_5掺杂量的增加,击穿场强(E_(1mA))从1 068 V/mm增加到1 099 V/mm,后又减小到937 V/mm。当V_2O掺杂量(摩尔分数)为1.0%时,击穿场强达到最高,阻抗最大,相对介电常数ε_r出现最大值,损耗角正切值tanδ达到最小;当V_2O_5掺杂量(摩尔分数)为1.5%时,非线性系数(α)达到最大(47.7),漏电流(JL)降到最小(0.74μA/cm2)。V_2O_5的存在对压敏电阻的性能有显著影响,呈现出优越的性能,特别是击穿电压很高,在电气设备的抗雷击方面具有应用潜能。
- 刘建科崔永宏陈永佳韩晨范亚红
- 关键词：氧化锌压敏电阻微观结构电学性能
- 金属纳米颗粒光散射提高薄膜光伏电池光能吸收率的理论研究被引量：1
- 2013年
- 在准静态近似下,分析了球形金属纳米颗粒的光散射和吸收特性.金属纳米颗粒的介电函数用Drude模型描述的情形下,得出了银纳米颗粒在可见光、红外波谱范围散射效率与纳米颗粒半径的关系.利用金属纳米颗粒的光散射特性可提高薄膜光伏电池的光能吸收率.简要分析了其提高薄膜光伏电池光能吸收率的机理.
- 罗道斌刘建科吴超崔永宏
- 关键词：金属纳米颗粒光伏电池
- 一种室内灯智能节能控制装置
- 本实用新型公开了一种室内灯智能节能控制装置，包括智能灯控模块，电源，智能灯控模块、电源和照明灯组成闭合回路，智能灯控模块包括整流桥，交流电接入整流桥，整流桥正极分别连接红外开关VCC端、光学传感器正极和三极管集电极，整流...
- 刘建科崔永宏王腾韩晨于克锐张诚范亚红梁楚轩
- 文献传递
- 烧结温度影响Zn-Bi系压敏陶瓷性能研究被引量：5
- 2016年
- 以95.5ZnO-0.5V_2O_5-2.0Bi_2O_3-0.5Mn_3O_4-0.5Y_2O_3-0.5Cr_2O_3-0.5Co_2O_3为配方制备压敏电阻,研究了烧结温度对该体系微观结构及电学性能的影响。研究表明,随着烧结温度升高,ZnO压敏电阻的击穿场强E1mA逐渐减小,非线性系数α、损耗角正切值tanδ以及相对介电常数εr均先增大再减小。当烧结温度为910℃时,压敏电阻的微观结构均匀,晶界清晰,有大量八面体的尖晶石相生成,且分布均匀。该烧结温度下所制备的压敏电阻的非线性系数α达到最大值27,击穿场强E1mA为3 456.5V/cm,工作频率105 Hz条件下该电阻的损耗角正切值tanδ为0.29。
- 刘建科陈永佳于克锐王浩韩晨崔永宏
- 关键词：烧结温度ZNO压敏电阻电学性能
