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一种K波段高增益低噪声折叠式双平衡混频器: 2021年; 基于130nm RF CMOS工艺,设计了一种适用于K波段的高增益低噪声折叠式下变频混频器。采用折叠式双平衡电路结构,混频器的跨导级和开关级可以在不同的偏置条件下工作,为优化两级的噪声提供了极大的自由度。采用电流复用技术,混频器的转换增益和噪声系数得以显著改善。后仿真结果表明,该混频器在本振功率为-3dBm时,实现了27.8dB的转换增益和7.36dB的噪声系数。在射频信号为24GHz处的输入1dB压缩点P_(1dB)为-18.8dBm,本振端口对射频端口的隔离度大于60.2dB。该电路工作于1.5V的电源电压,总直流电流为12mA,功耗为18mW。该混频器以适中的功耗获得了极高的整体性能,适用于低功耗、低噪声24GHz雷达接收机。; 魏恒潘俊仁彭尧何进; 关键词：下变频混频器 K波段高增益低噪声

一种基于130 nm CMOS工艺的K波段混频器被引量：1: 2017年; 基于130 nm CMOS工艺,设计了工作于K波段的双平衡下变频混频器。在传统吉尔伯特单元基础上采用电流复用注入结构,减小了开关级的偏置电流,提升了开关性能。在开关级源端引入谐振电感,消除了开关共源节点处的寄生电容,抑制了射频信号的泄露,提高了增益,减小了噪声。仿真结果表明,输入射频信号为24 GHz,本振信号为24.5 GHz,本振输入功率为-3 d Bm时,该混频器的转换增益为25.8 d B,单边带噪声系数为6.4 d B,输入3阶互调截点为-8.6 d Bm。; 彭尧何进陈鹏伟王豪常胜黄启俊; 关键词：K波段下变频混频器

一种10Gb/s的跨阻放大器设计被引量：1: 2017年; 基于0.18μm SiGe Bi CMOS工艺,设计了用于10Gb/s光通信的跨阻放大器,介绍了直流偏移消除电路和自动增益控制电路。做了关于跨阻放大器输出信号带宽、差分增益和灵敏度的仿真,画出版图结构并进行了后仿真分析。; 张贵博何进王宇奇彭尧童志强王豪常胜黄启俊; 关键词：跨阻放大器自动增益控制

一种0.13μm CMOS K波段宽带功率放大器被引量：1: 2019年; 基于0.13μm CMOS工艺,采用多频点叠加的方式,设计了一种K波段宽带功率放大器。输入级采用晶体管源极感性退化方式,实现了宽带输入匹配。驱动级采用自偏置共源共栅放大器,为电路提供了较高的增益。输出级采用共源极放大器,保证电路具有较高的输出功率。后仿真结果表明,在26GHz处,该功率放大器的增益为22dB,-3dB带宽覆盖范围为22.5~30.5GHz,输出功率1dB压缩点为8.51dBm,饱和输出功率为11.6dBm,峰值附加功率效率为18.7%。; 侯昊民何进彭尧邓天传王豪常胜黄启俊; 关键词：K波段功率放大器宽带

一种24 GHz CMOS功率放大器设计被引量：1: 2019年; 基于130 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计了一种高增益和高输出功率的24 GHz功率放大器。通过片上变压器耦合实现阻抗匹配和功率合成,有效改善放大器的匹配特性和提高输出功率。放大器电路仿真结果表明,在1.5 V供电电压下,功率增益为27.2 dB,输入输出端回波损耗均大于10 dB,输出功率1 dB压缩点13.2 dBm,饱和输出功率17.2 dBm,峰值功率附加效率13.5%。; 彭尧何进王冲王豪常胜黄启俊; 关键词：互补金属氧化物半导体功率放大器变压器耦合功率合成

一种基于130 nm CMOS工艺的K波段上/下双向混频器: 2022年; 基于130 nm RF CMOS工艺,提出了一种可实现上/下双向变频功能的K波段有源混频器。当收发机工作于接收模式时,双向混频器执行下变频功能,将低噪放大器放大后的射频信号转换为中频信号;当收发机工作于发射模式时,双向混频器则实现上变频功能,将输入的基带信号转换为射频信号并输出至功率放大器。后仿真结果表明,在0 dBm的本振驱动下,混频器工作于上变频模式时的转换增益、噪声系数、输出1 dB压缩点在23~25 GHz范围内分别为-1.1~-0.4 dB、12.9~3.3 dB、-8.2 dBm@24 GHz;工作于下变频工作模式时的转换增益、噪声系数、输入1 dB压缩点在23~25 GHz范围内分别为2.4~3.4 dB、15.2~15.6 dB、-3.6 dBm@24 GHz。混频器芯片面积为0.6 mm;在1.5 V供电电压下,消耗功率12 mW。; 赵玉楠潘俊仁彭尧何进王豪常胜黄启俊; 关键词：K波段 CMOS

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彭尧