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李小宏

作品数：1 被引量：6H指数：1
供职机构：中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇芯片
  • 1篇INSB

机构

  • 1篇中国航空工业...

作者

  • 1篇张国栋
  • 1篇徐淑丽
  • 1篇赵鸿燕
  • 1篇李小宏
  • 1篇朱炳金

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究被引量：6
2009年
利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70-90 nm/min,刻蚀台阶垂直度-80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23μm×23μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。
张国栋徐淑丽赵鸿燕朱炳金李小宏
关键词：INSB
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