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沈云

作品数:4 被引量:11H指数:2
供职机构:南京理工大学化工学院更多>>
相关领域:兵器科学与技术航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇兵器科学与技...
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 2篇点火
  • 1篇低温共烧陶瓷
  • 1篇钝感
  • 1篇氧化钌
  • 1篇制备及性能
  • 1篇微推进
  • 1篇微推进器
  • 1篇温度
  • 1篇硝酸钾
  • 1篇溅射
  • 1篇发火
  • 1篇半导体桥
  • 1篇比冲
  • 1篇NI-CR
  • 1篇RUO2
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 4篇南京理工大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇沈瑞琪
  • 4篇叶迎华
  • 4篇沈云
  • 3篇许建兵
  • 2篇王成爱
  • 1篇王飞
  • 1篇朱朋
  • 1篇汝承博

传媒

  • 4篇含能材料

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2019
  • 1篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
氧化钌点火桥电爆及点火性能
2019年
为了简化氧化钉(RuO_2)点火桥制作工艺,提高输出能量,并能满足低能发火及快速响应的要求,采用低温共烧陶瓷技术设计并制作了30种不同结构尺寸的V型氧化钌点火桥,研究了点火桥在恒压激励下的电爆性能,根据B/KNO_3点火药的点火试验结果,评估其点火能力。结果表明,V型结构设计有利于提高桥区电流密度,在V型桥的最窄处容易形成热点,有利于降低电爆所需能量;V型氧化钉点火桥的夹角、长宽比以及最窄处宽度对其电爆性能影响较大。在40 V恒压激励下,V型氧化钌点火桥夹角为60°,长宽比为0.43,最窄处宽度为100μm时,电爆所需输入能量小为1.47 mJ,输出能量最大为8.46 mJ,可以点燃B/KNO_3点火药。
徐威代骥许建兵沈云叶迎华沈瑞琪
关键词:低温共烧陶瓷
静电喷射纳米铝热剂的微推进性能被引量:4
2016年
纳米铝热剂可用作基于微机电系统(MEMS)的固体化学微推进器的装药。添加含能粘结剂可以增强纳米铝热剂的推进性能表现。选择硝化棉(NC)和聚偏二氟乙烯(PVDF)作为含能粘结剂,利用静电喷射的方式制备纳米铝热剂,从理论和实验系统地研究了燃料/氧化剂的平衡配比、粘结剂含量对推进性能的影响,并与相同条件下机械混合纳米铝热剂的推进性能比较。结果表明:静电喷射较机械混合纳米铝热剂的固体颗粒分布均匀;Al/CuO的计算最佳平衡配比为0.9,最佳实验平衡配比为1.8;当NC含量为2.5%时,比冲可以达到250.2 m·s^(-1),与无粘结剂的Al/CuO相比增加比例为8.0%;PVDF的加入降低了实验比冲值。粘结剂的分解产物将纳米颗粒分开,增加了凝聚相反应的特征传质长度,导致燃烧持续时间从2.9 ms显著地增加到87.8 ms。
汝承博王飞许建兵代骥沈云叶迎华朱朋沈瑞琪
关键词:比冲
一种Ni-Cr@Al/CuO钝感含能元件的制备及性能被引量:6
2019年
为了提高Ni-Cr薄膜发火件的安全性和点火能力,使用磁控溅射技术将Al/CuO含能薄膜与Ni-Cr薄膜发火件复合,制备了一种新型的Ni-Cr@Al/CuO钝感含能元件。该Ni-Cr@Al/CuO钝感含能元件既可以用作换能元,又可以作为最简单的电点火元件,从而简化点传火序列,适应弹药微型化的发展需求。测试其1A1W5min安全性、电发火感度和点火能力。结果表明,Ni-Cr@Al/CuO钝感含能元件满足1A1W5min安全性要求;50ms临界发火电流为3.08A,最小全发火电流为3.18A,最大不发火电流为2.98A,安全裕度较高;在相同条件下,Ni-Cr@Al/CuO钝感含能元件可以点燃硼/硝酸钾,并且可实现1mm的间隙点火,而Ni-Cr薄膜发火件不能成功点燃硼/硝酸钾。
杨腾龙沈云代骥郑国强王成爱叶迎华沈瑞琪
关键词:磁控溅射
温度对半导体桥电爆性能影响研究被引量:1
2023年
为了研究温度对半导体桥(SCB)电爆和点火的影响,采用电容放电激励的方式,研究了SCB在环境温度分别为25℃和-40℃的电爆特性,建立数学模型并探讨了环境温度对SCB电爆的影响;开展了以Al/CuO纳米铝热剂为点火药剂的SCB点火感度实验,在环境温度为25℃和-40℃测试了Al/CuO纳米铝热剂的点火温度,并采用Neyer D最优化法测试SCB点火感度。结果发现,当充电电压由30 V增加至50 V时,电爆延迟时间差值由0.47μs降低至0.25μs,电爆所需能量的差值由0.16 mJ增加至0.65 mJ,表明随着充电电压的增加,环境温度对电爆延迟时间的影响减小,对电爆所需能量的影响增大;并发现不同温度下Al/CuO纳米铝热剂点火温度没有显著差异,为740.7℃;-40℃时的SCB临界发火电压比25℃时高0.6 V。
王成爱许建兵许建兵王悦听沈云叶迎华
关键词:半导体桥温度点火
共1页<1>
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