王晓静
- 作品数：3 被引量：12H指数：3
- 供职机构：江苏大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：机械工程一般工业技术更多>>
- 射频磁控溅射法制备MoS_2/SiC双层薄膜被引量：5
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在室温、500℃的单晶硅和GCr15钢基体上制备了MoS2/SiC双层薄膜,并借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜、摩擦磨损试验机以及划痕仪等研究了薄膜的结构、形貌、成分、摩擦学性能以及薄膜与基体的结合力。结果表明:当衬底温度为500℃时制备的MoS2/SiC双层薄膜表面致密平整,两层薄膜之间界面平直,膜厚约为0.8μm;该双层膜的摩擦因数低,耐磨性好;添加中间层可提高薄膜与基体的结合力。
- 王晓静邵红红王季
- 关键词：射频磁控溅射结合力
- 提高钢基表面Al_2O_3薄膜结合力的研究被引量：5
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在40Cr基体上制备了非晶态Al2O3薄膜,并研究了工艺参数(溅射功率,工作气压,溅射时间)、预处理工艺以及中间层对薄膜结合性能的影响。试验结果表明,采用射频溅射法,在功率为250W、工作气压为5.0Pa、时间为3h条件下制备的薄膜结合力最好。基体经过腐蚀预处理和加入镍磷中间层均能改善膜基结合力,后者效果更显著。
- 邵红红王季王晓静于春杭顾冬青
- 关键词：射频磁控溅射AL2O3薄膜非晶态结合力
- 磁控溅射硅钼薄膜的抗氧化性能研究被引量：3
- 2012年
- 用射频磁控溅射法在单晶Si基体上制备了硅钼薄膜,对薄膜进行真空退火处理以及高温氧化实验,借助SEM和X射线衍射仪(XRD)等仪器对退火前后的薄膜以及高温氧化后的薄膜进行了分析。结果表明沉积态的硅钼薄膜为非晶态,高温真空退火使薄膜由非晶态转变为晶态,致密的复合氧化物是硅钼薄膜具有良好的抗氧化性能的主要原因。
- 邵红红徐涛王晓静邓进俊
- 关键词：磁控溅射抗氧化性
