王玲
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：江苏大学电气信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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- 0.18μm CMOS施密特模数光电变换器被引量：1
- 2008年
- 设计了一种0．18μmCMOS模数光电变换器，包括光电检测和施密特模数变换电路两部分。为了改善它的增益线性度和稳定性，所用运算放大器中引入了负反馈，并采取了改进电路结构和优选元器件参数的措施；确定了运放的版图尺寸，芯片面积为0．42mm×0．34mm；最后进行了光电变换器的仿真和硬件电路实验。结果表明该变换器的输出信号能反映位移量及其方向的变化规律；模数变换电路用3．0～5．0V电源供电，下限截止频率约6HZ，增益线性度达到6．4×10^-5,而功耗只有23mW，因此特别适用于低频位移量光电检测系统中。
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- 关键词：CMOS集成电路光电流模数变换器施密特触发器
- 低功耗高增益CMOS LNA的设计
- 2008年
- 设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18μm,当中心频率f0为2.4GHz、电源电压VDD为1.8V时其功率增益S21为16.5dB,但功耗Pd只有2.9mW,噪声系数NF为2.4dB,反向隔离度S12为-58dB。由此验证了所设计的CMOSRF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100nm级的研发方向发展。
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- 关键词：低噪声放大器低功耗高增益
- 两种低压高速BiCMOS开关电流存储器被引量：1
- 2008年
- 为了提高数字通信电路的速度，设计了两种BiCMOS开关电流存储器。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管（BJT），但在电路的主体部分则设置MOS器件。推导出了存储电路的传输延迟时间估算式，优选了元器件参数，并采取了提速措施。进行了仿真试验和硬件电路实验。结果表明，所设计的两种开关电流存储器在低电源电压（VDD）为2．6～4．0V时，综合性能指标——时延．功耗积DP比CMOS存储电路AD585平均降低了约18．8pJ，特别适用于低压高速数字通信系统。
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- 关键词：低压
- 新型的3D堆叠封装制备工艺及其实验测试
- 2008年
- 为了满足超大规模集成电路（VLSI）芯片高性能、多功能、小尺寸和低功耗的需求，采用了一种基于贯穿硅通孔（TSV）技术的3D堆叠式封装模型。先用深反应离子刻蚀法（DRIE）形成通孔，然后利用离子化金属电浆（IMP）溅镀法填充通孔，最后用Cu／Sn混合凸点互连芯片和基板，从而形成了3D堆叠式封装的制备工艺样本。对该样本的接触电阻进行了实验测试，结果表明，100μm^2Cu／Sn混合凸点接触电阻约为6．7mΩ，高90μm的斜通孔电阻在20～30mΩ，该模型在高达10GHz的频率下具有良好的机械和电气性能。
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- 关键词：超大规模集成电路铜互连
- 0.25μm BiC MOS差分式光电转换器被引量：1
- 2008年
- 设计了一款0．25μmBiCMOS差分光电转换器，包括光电转换和运算放大电路两部分。设计过程中首先采取改进电路结构、优化器件参数的措施，以实现高速宽带低功耗的设计目标；然后确定了运算放大器的版图尺寸，各运放的芯片面积均为0．45mm×0．32mm；最后对所设计的转换器进行了仿真和硬件电路实验。结果表明，所设计转换器的光电流随入射光功率增加呈指数规律增大的趋势；运放电路可采用3．0～5．0V电源供电，-3dB带宽达到76．3kHz，功耗约89mw，而传输时延只有15．4ns，因此特剐适用于高性能光纤通信系统中。
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- 关键词：光纤通信系统专用集成电路设计
- MEMS封装用局部激光键合法及其实现
- 2008年
- 对常规激光键合在Si-玻璃键合工艺中因高温而引起的负面效应进行了分析，从而设计出芯片表面活化预键合与激光键合工艺相结合的方法。该方法已用于微电子机械系统（MEMs）样片封装实验中。实验过程是：先用一种特殊的化学方法形成亲水表面，然后将Si和玻璃置于室温下进行预键合，最后取波长1064nm、光斑直径500μm、功率70W的Nd：YAG激光器作局部激光加热。结果表明，该方法在不施加外力下能实现无损伤低温键合，同时拉伸实验也说明了样片键合强度达到2．6～3．0MPa，从而既保证了MEMS芯片的封装质量又降低了其封装成本。
- 成立王玲伊廷荣植万江范汉华王振宇
- 关键词：微电子机械系统表面活化固体激光器
- 两种改进结构型BiCMOS模拟开关
- 2007年
- 为了改善其速度和电流驱动性能,设计了两例BiCMOS模拟电子开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管(BJT),而在电路的主体部分设置CMOS器件。优选了元器件参数,并采取提速和增大驱动电流的措施。通过仿真和硬件电路实验验证了开关电路性能,结果表明设计的BiCMOS开关电路在低电源电压2.6 V≤VDD≤3.6 V的范围内,综合性能指标——延迟-功耗积DP比CMOS开关电路平均降低了25.5 pJ,输出级的驱动电流可达1.39 mA以上,因而特别适用于低压、高速、大驱动电流的数字通信系统中。
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- 关键词：低压数字通信系统
- 低电压低功耗密勒OTA仿真设计
- 2008年
- 设计了一种电源电压低于阈值电压的低电压、低功耗、输入/输出全摆幅的密勒运算跨导放大器(OTA),采用衬底驱动差分对和直流电平偏移技术,使MOS器件工作在亚阈值区,降低了对电源电压VDD的要求,且输入/输出摆幅也能实现轨对轨。采用台积电(TSMC)0.35μm标准n阱CMOS工艺BSIM3V3模型对此OTA进行了HSPICE仿真实验。结果表明,当VDD为600mV时开环增益A0为70.4 dB,不但此OTA输入/输出摆幅轨对轨,而且其功耗PD只有420 nW,从而实现了低压低耗的设计目标,可用于便携式产品的电子电路设计中。
- 植万江成立范汉华王玲伊廷荣
- 关键词：运算跨导放大器低电压差分对轨对轨
- 用于10Gb/s光接收机的BiCMOS放大电路
- 2008年
- 设计了一种用于SDH系统STM-64（10Gb／s）速率级光接收机中的BiCMOS放大电路，包括NMOS共栅一共源前置放大器和差分式BiCMOS主放大器；各个放大器中都引入了负反馈；并精选了元器件参数，采取了提速措施，以保证放大电路在低功耗下工作在10Gb／s或更高速率上。实验结果表明，所设计的放大电路在10Gb／s速率上，主放大器输入动态范围为42dB（3．2～500mV），50Ω负载电阻上的输出限幅约为250mV，小信号输入时的最高工作速率达到12Gb／s，放大电路可采用1．8～5．6V电源供电，平均功耗约为230mW，从而满足了光纤通信系统中的高性能要求。
- 成立范汉华植万江王玲伊廷荣王振宇
- 关键词：STM-64光接收机前置放大器主放大器
