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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇生长温度
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇RHEED
  • 1篇AFM
  • 1篇AIN
  • 1篇ALN薄膜

机构

  • 1篇重庆师范大学

作者

  • 1篇郑显通
  • 1篇苑进社
  • 1篇邹祥云
  • 1篇李瑶
  • 1篇刘帆
  • 1篇蒋一翔

传媒

  • 1篇重庆理工大学...

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
生长温度对分子束外延AlN薄膜的影响
2012年
研究了不同生长温度对分子束外延设备在蓝宝石衬底上外延AlN薄膜时对薄膜样品晶体质量和表面形貌的影响。研究发现:随着生长温度的提高,RHEED条纹更加纤细、更加细锐;在低温下,AlN表面有密集的小岛状晶粒结构,但随着温度的升高,小岛之间开始聚合,并形成大范围的原子力台阶,表明AlN薄膜在高温下有良好的二维生长模式;(002)和(102)面XRD半高宽结果进一步表明AlN薄膜的二维生长模式,且在高温下,AlN薄膜中的刃型位错密度大大减小。说明提高生长温度有助于提高AlN薄膜的晶体质量,获得平坦的表面。
李瑶郑显通刘帆蒋一翔邹祥云苑进社
关键词:分子束外延AINRHEEDAFM
共1页<1>
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