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赵晓静

作品数:1 被引量:2H指数:1
供职机构:北京科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇溅射
  • 1篇HFO
  • 1篇HFO2薄膜
  • 1篇衬底
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇ZNS

机构

  • 1篇北京科技大学

作者

  • 1篇陈良贤
  • 1篇吕反修
  • 1篇李成明
  • 1篇刘金龙
  • 1篇黑立富
  • 1篇冯寅楠
  • 1篇赵晓静

传媒

  • 1篇材料热处理学...

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
ZnS衬底表面制备HfO_2增透保护膜的性能被引量:2
2012年
用射频磁控溅射法在CVD ZnS衬底上制备了HfO2薄膜,利用X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红外光谱(FTIR)和纳米力学探针对HfO2薄膜的结构和性能进行了分析和测试。结果表明,制备的HfO2为单斜相,膜层致密、表面平整、粗糙度仅为3.0 nm,硬度(7.3 GPa)显著高于衬底ZnS的硬度(2.6 GPa)。采用ZnO薄膜作过渡层,可有效提高HfO2与ZnS衬底的结合强度。单面镀制HfO2薄膜后,ZnS衬底在8-12μm长波红外波段的透过率最高可达81.5%,较之ZnS基体提高了5.8%,双面镀制HfO2薄膜后透过率最高可达90.5%,较之ZnS基体提高了14.8%,与理论计算结果吻合较好,适合作为ZnS窗口的增透保护膜。
赵晓静李成明陈良贤刘金龙冯寅楠黑立富吕反修
关键词:ZNSHFO2薄膜射频磁控溅射
共1页<1>
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