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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇电性能
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  • 1篇薛定谔方程
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  • 1篇MATLAB

机构

  • 3篇中国电子科技...
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 3篇牛晨亮
  • 3篇赵辉
  • 2篇武一宾
  • 2篇商耀辉
  • 1篇陈宏泰
  • 1篇崔琦
  • 1篇房玉龙
  • 1篇潘鹏
  • 1篇王健
  • 1篇韩颖
  • 1篇卜夏正
  • 1篇王建峰
  • 1篇王中旭
  • 1篇师巨亮

传媒

  • 2篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2013
  • 1篇2009
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
GaAs基PHEMT材料结构及其制备方法
本申请适用于半导体技术领域,提供了GaAs基PHEMT材料结构及其制备方法,该GaAs基PHEMT材料结构包括:GaAs衬底;复合缓冲层,设置于GaAs衬底上表面;多周期超晶格层,设置于复合缓冲层上表面;有源层,设置于多...
潘鹏赵辉于根源房玉龙陈宏泰牛晨亮
沟道应力对GaAs PHEMT材料电性能的影响
2009年
设计并用分子束外延(MBE)法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料,采用高分辨率X射线双晶衍射仪(DCXRD)、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及电子迁移率进行了分析表征。探讨了外延片应力与沟道结构的相关性,研究了沟道失配应力对电性能的影响机理。建立了GaAs PHEMT材料热应力引起电子传输特性退化的试验方法,进行了高温和低温存储后材料电性能的演化行为测试,并归纳了热应力引起材料电特性退化的实验结果。结果表明GaAs PHEMT材料经高、低温存储并恢复室温后仍能保持原有电性能,沟道应力对材料电性能的影响主要表现为失配应力。
卜夏正武一宾商耀辉牛晨亮赵辉崔琦
关键词:热应力电性能
太赫兹量子级联激光器有源区有限元模拟被引量:2
2013年
采用有限元分析法解决了太赫兹量子级联激光器(THz QCL)有源区模拟问题。由于InP基差频THz QCL有源区为千层纳米结构,无法拆分实验探索,因此模拟分析显得尤为必要。首先列出有源区量子结构的薛定谔方程,而后采用Galerkin有限元法改写薛定谔方程,再根据连续性和边界条件,得到本征值矩阵方程,最后采用Matlab写出运算程序求解本征值矩阵方程,求出波函数。针对不同有源区量子结构,设定材料、组分、厚度和周期数及外加偏压等参数,即可得到波函数模方、能级、频率和波长等模拟结果。选取InP基差频THz QCL结构进行验证,结果表明此模型切实可行,其拓展应用也可以解决GaAs THz QCL模拟问题。
王建峰武一宾王健商耀辉牛晨亮师巨亮赵辉王中旭韩颖
关键词:MATLAB薛定谔方程差频
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