郭育华
- 作品数：2 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 薄膜电路制备中磁控溅射工艺对样品性能影响的研究被引量：2
- 2015年
- 采用磁控溅射法在氧化铝陶瓷基板上制备了Cu薄膜,利用台阶测试仪、XRD以及半导体测试仪对薄膜的厚度、结构及电学特性进行了表征及测试。结果表明,当溅射电流为0.6 A,氩气流量为100 cm3/min时,制备出的薄膜结晶特性良好,具有优异的电学特性。通过进一步深入研究,揭示了工艺参数影响薄膜性能的物理机理。
- 陈帅邱颖霞魏晓旻郭育华宋夏
- 关键词：磁控溅射
- 薄膜电路制备中缓冲层对器件性能改善的研究被引量：5
- 2016年
- 利用磁控溅射法在氧化铝陶瓷上制备了Cu、Cr/Cu以及Cr/Cr-Cu/Cu,采用台阶仪、XRD、SEM以及半导体测试仪对薄膜的厚度、结构、表面形貌以及电学特性进行了表征与测试,采用胶带法对薄膜的附着力进行了测试。结果表明,Cr缓冲层的存在对薄膜的特性有改善作用。未沉积缓冲时,薄膜结晶度不高,表面粗糙,致密度不高,附着力差。对不同的阻挡层进行比较,当选择了合适的缓冲层以及优化后的沉积工艺后,薄膜的结晶质量有所改善,表面光滑,致密度高,附着力良好。
- 陈帅邱颖霞魏晓旻郭育华宋夏
- 关键词：缓冲层溅射
