刘松
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：东南大学材料科学与工程学院江苏省先进金属材料重点实验室更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”江苏省“青蓝工程”基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 微波法合成SiC纳米线及其光致发光性质被引量：1
- 2015年
- 以Si粉、SiO2粉和人造石墨为原料,在1480℃、4 kW、80 min的真空微波辐照条件下快速高效地合成SiC纳米线。利用SEM、TEM、XRD等对所得产物的微观结构解析表明,在未使用催化剂的条件下,基于气固（VS）机制可成功制备出β型SiC。根据坩埚中的部位不同,所得Si C呈现出不同的形貌。坩埚上层的产物呈亮绿色,较为纯净,主要为直径约150 nm的纳米棒,并含有部分微米级SiC晶粒,表面氧化迹象不明显。其余部分产物呈灰绿色,主要是直径为20~50 nm的SiC/SiO2同轴纳米线（表层的SiO2厚度约2nm）,并夹杂有未反应完全的石墨和SiO2。利用波长为240nm的激发光分别对SiC纳米棒和同轴纳米线的光致发光特性的测试表明,两者均可观察到峰位在390 nm左右的发射峰,此结果与所报道的β-SiC纳米材料的发光性能相比,蓝移程度更高。
- 黄珊王继刚刘松张玥晨钱柳梁杰
- 关键词：微波法纳米线光致发光
- 高能微波辐照条件下SiC晶粒的生长过程分析被引量：3
- 2014年
- 利用高能真空微波辐照,仅以SiO2和人造石墨粉为原料,便捷快速地合成得到结晶良好的β-SiC晶粒。在利用各种表征手段综合分析SiC晶粒微观结构的基础上,确认高能微波辐照条件下,β-SiC晶粒的生长过程符合"光滑界面的二维形核生长"机制。借助于电子背散射衍射技术(EBSD)进行的原位解析发现,生长最快的{211}面在晶粒长大过程中逐渐被超覆,通过形成{421}过渡晶面而最终演变为{220}晶面,并成为晶粒的侧面;而生长最慢的{111}面则成为最后保留下来的六角形规则晶面。EBSD的解析结果为SiC晶粒生长过程中晶面演变提供了直接的实验证据。
- 黄珊王继刚刘松李凡
- 关键词：微波碳化硅
