您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 1篇载流子
  • 1篇热载流子
  • 1篇热载流子效应
  • 1篇重离子
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇晶圆
  • 1篇抗辐射
  • 1篇沟槽
  • 1篇沟道
  • 1篇沟道效应
  • 1篇辐照
  • 1篇NMOS器件
  • 1篇STI
  • 1篇TCAD
  • 1篇BACK
  • 1篇CMOS器件
  • 1篇测试系统
  • 1篇NITRID...
  • 1篇PULL

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学

作者

  • 4篇吴建伟
  • 2篇谢儒彬
  • 2篇洪根深
  • 1篇顾吉
  • 1篇徐海铭
  • 1篇陈海波
  • 1篇顾祥
  • 1篇李燕妃
  • 1篇张庆东

传媒

  • 4篇电子与封装

年份

  • 4篇2017
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种微型探针台的设计和应用被引量:3
2017年
介绍了一种便携式探针台,其结构小巧,功能实用,成本较低,可以满足基本的试验需求。特别之处在于显微镜和探针台采用分体结构设计,使得探针台部分能从整个探针台系统中独立出来,可以应用于辐照试验中。固定在探针台上的芯片可以与探针台一起放置于空间任意位置,方便将芯片对准辐照源中心。该探针台也可放置在高低温箱中,用于芯片的三温测试。加上显微镜固定采用多角度云台支架设计,支持全方位观察,可以使得观察更加立体直观。探针卡采用多探针结构,可实现多路测试,并且探卡及其信号连接线采用了低漏电及EMI设计,测试精度可以达到0.1 n A以下,配合接地良好的铝制屏蔽盒,增加了抗干扰能力,其测试数据更加精确。
顾吉吴建伟
关键词:晶圆辐照测试系统
抗辐射0.18μm NMOS器件热载流子效应研究被引量:2
2017年
基于0.18μm CMOS工艺开发了抗总剂量辐射加固技术,制备的1.8 V NMOS器件常态性能良好,器件在500 krad(Si)剂量点时,阈值电压与关态漏电流无明显变化。研究器件的热载流子效应,采用体电流Isub/漏电流Id模型评估器件的HCI寿命,寿命达到5.75年,满足在1.1 Vdd电压下工作寿命大于0.2年的规范要求。探索总剂量辐射效应与热载流子效应的耦合作用,对比辐照与非辐照器件的热载流子损伤,器件经辐照并退火后,受到的热载流子影响变弱。评估加固工艺对器件HCI可靠性的影响,结果表明场区总剂量加固工艺并不会造成热载流子损伤加剧的问题。
谢儒彬张庆东纪旭明吴建伟洪根深
关键词:总剂量效应热载流子效应
一种使沟槽侧角圆滑的新颖STI工艺
2017年
介绍了一种使沟槽侧角圆滑的STI工艺技术,该技术在沟槽腐蚀完,通过湿法工艺去除部分氮化硅(Nitride Pull back),再正常生长线性氧化层,使槽的侧角更加圆润光滑,同时减小了沟槽Divot深度。该工艺避免了附加高温热过程所导致的缺陷扩散和膜应力增大问题,现已成功应用于0.13μm逻辑工艺。采用该工艺完成的器件,反窄沟道效应明显减弱,窄沟器件的漏电有效降低。
顾祥徐海铭陈海波吴建伟
关键词:STINITRIDEPULLBACK
0.18 μm CMOS器件SEL仿真和设计被引量:7
2017年
宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μm CMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电压、工作温度、有源区距阱接触距离、NMOS和PMOS间距等因素对SEL敏感性的影响,并通过工艺加固得出最优的设计结构。重离子试验表明,采用3.2μm外延工艺,可提高SRAM电路抗SEL能力,当L1、L2分别为0.86μm和0.28μm时,其单粒子闩锁阈值高达99.75 Me V·cm2/mg。
李燕妃吴建伟谢儒彬洪根深
关键词:TCAD
共1页<1>
聚类工具0