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张俊峰
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
云南大学
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发文基金:
教育部科学技术研究重点项目
国家自然科学基金
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相关领域:
冶金工程
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合作作者
张聪
昆明理工大学冶金与能源工程学院...
魏奎先
昆明理工大学冶金与能源工程学院...
陈秀华
云南大学
马文会
昆明理工大学冶金与能源工程学院...
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张聪
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张俊峰
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1篇
2013
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坩埚表面改性对冶金法多晶硅电学性能的影响
被引量:1
2013年
冶金法制备太阳能级多晶硅所用石墨坩埚含有不同类型的金属杂质,这些杂质通常会降低硅锭的电阻率和少子寿命等电学性能。本文研究了坩埚表面改性对冶金法多晶硅电阻率和少子寿命的影响。通过在不同冷凝速率条件下,对工业硅原料在改性前后的坩埚内提纯。经对铸锭切片的电阻率测试得出:坩埚表面改性使冶金法多晶硅锭的电阻率得到了明显的提高,电阻率的最高值由原来冷凝速率为20μm/s时的110mΩ.cm提高到30μm/s时227mΩ.cm;经对铸锭切片的少子寿命测试得出:冶金法多晶硅的少子寿命在冷凝速率20μm/s时最高,坩埚表面改性使少子寿命由原来的0.81μs提高到1.91μs。
张聪
魏奎先
马文会
陈秀华
张俊峰
关键词:
表面改性
多晶硅
少子寿命
电阻率
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