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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电极
  • 1篇电极对
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  • 1篇微波
  • 1篇结温
  • 1篇晶体管
  • 1篇功率
  • 1篇功率晶体管

机构

  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 1篇吴鹏
  • 1篇盛国兴
  • 1篇戴学梅
  • 1篇傅义珠
  • 1篇王佃利
  • 1篇王因生
  • 1篇康小虎
  • 1篇方圆
  • 1篇叶宗祥

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2008
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善被引量:3
2008年
通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃。试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片内微波输入功率和结温分布的均匀性。
傅义珠戴学梅康小虎盛国兴叶宗祥方圆王因生王佃利吴鹏
关键词:微波功率晶体管结温热阻
共1页<1>
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