李利民
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 硅片湿法清洗工艺缺陷控制研究被引量：1
- 2015年
- 采用光学表面分析(OSA)方法,研究了硅片湿法清洗工艺中清洗液SC1的浓度配比和温度对硅片表面颗粒和缺陷的影响。研究结果表明,当NH4OH浓度较小,则硅片表面颗粒数增加,而缺陷减少;当SC1温度降低为45℃时,硅片表面颗粒增加数仅为60每片(颗粒尺寸大于等于0.2μm),且无缺陷产生。优化工艺参数后,明显改善了硅片湿法清洗工艺的质量。
- 李利民韩沛东贾远红罗春林
- CCD纵向溢出漏结构工艺仿真与实现被引量：3
- 2013年
- 传统的电荷耦合器件(CCD)处于强光环境时,会产生光晕现象;纵向溢出漏结构的出现,满足了CCD在强光环境下的使用要求。通过对CCD的纵向溢出漏结构及其电势进行分析,发现抗晕势垒是纵向溢出漏结构能否实现抗晕功能的关键,决定了抗晕能力的强弱,而抗晕势垒受p阱注入剂量、埋沟注入剂量的影响。通过工艺仿真,确定了纵向溢出漏结构的p阱、埋沟工艺条件,根据仿真结果制造的纵向抗晕CCD抗晕能力大于100倍。
- 雷仁方王晓强杨洪吕玉冰郑渝李利民
- 关键词：CCD仿真
