翟晓勇
- 作品数：4 被引量：7H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- 短切SiC_f/LAS复合材料的介电性能
- 2009年
- 讨论了纤维长度与热压保温时间对含量为25%(体积分数)的短切SiCf增强LAS玻璃陶瓷复合材料介电性能的影响。在8～12GHz频率范围内,介电性能测试结果表明,随纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料的复介电常数实部ε′增大,而其虚部ε″及介电损耗tgδ减小。当保温时间由10min延长到20min时,复合材料的ε′增大,而其ε″与tgδ均减小;且保温20min时,其ε′、ε″与tgδ均已接近适合损耗微波能量的数值。复合材料有望成为电损耗型宽带微波损耗材料。
- 翟晓勇周万城罗发朱冬梅
- 关键词：复合材料LAS玻璃陶瓷介电性能
- 热压烧结短切SiC_f／LAS复合材料的介电性能被引量：3
- 2007年
- 采用热压烧结法制备出致密的短切SiC_f增强LAS玻璃陶瓷复合材料,讨论了热压保温时间与纤维长度对复合材料介电性能的影响。结果表明,测试频率在8～12GHz之间,复合材料的复介电常数实部ε′由基体的7.6上升到10～100,虚部ε″由基体的0.34上升到60～140.介电损耗tgδ由基体的0.04上升到1～40,并具有明显的频散效应。当保温时间由10min增加到20min时,复合材料ε′增大,ε″与tgδ减小。保温时间10min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε′减小,ε″先减小后增大,而tgδ增大;保温时间20min时,随着纤维长度由2mm增加到4mm,复合材料ε′先减小后增大,ε″与tgδ则先增大后减小。复合材料具有成为电损耗型宽带吸波材料的潜力。
- 翟晓勇周万城罗发朱冬梅
- 关键词：LAS玻璃陶瓷介电性能
- 热压条件对短切SiC_f/LAS复合材料介电/力学性能的影响被引量：3
- 2007年
- 采用热压烧结法制备出致密度超过90%的短切SiCf增强LAS玻璃陶瓷基复合材料,讨论了热压温度与压力对复合材料性能的影响。力学测试表明,当热压温度由1200℃上升到1280℃,复合材料断裂强度从124MPa下降到80MPa,断裂韧性从3.27MPa.m1/2下降到2.92MPa.m1/2;当热压压力由20MPa提高到34MPa,复合材料断裂强度从124MPa下降到86MPa,断裂韧性从3.27MPa.m1/2下降到3.00MPa.m1/2。断口形貌SEM观察结果表明,因纤维掺入过量,φ(SiCf)=36%,使纤维与基体结合较差;而过高的热压温度与压力会使界面反应加剧,破坏纤维强度及纤维与基体的结合。介电性能测试表明,在8～12GHz频率,复合材料复介电常数的实部ε′由基体的7.6增大到10～70,虚部ε″由基体的0.34增大到60～160,介电损耗tgδ由基体的0.04增大到2～20,并具有明显的频散效应。而且,随热压温度升高或者热压压力的增加,复合材料ε′增大,而ε″与tgδ减小。复合材料具有成为电损耗型宽带微波吸收材料的潜力。
- 翟晓勇周万城罗发朱冬梅
- 关键词：LAS玻璃陶瓷介电性能功能材料
- 短切SiC_f/LAS复合材料的显微结构与介电性能(英文)被引量：2
- 2009年
- 采用热压烧结法制备出致密的短切SiCf增强LAS玻璃陶瓷复合材料，并讨论保温时间与热压压力对复合材料介电性能的影响。结果表明，测试频率在8-12GHz之间，复合材料复介电常数实部ε′由基体的7．6上升到10～100，虚部ε″由基体的0．34上升到40～160，介电损耗tgδ由基体的0．04上升到1-20，并具有明显的频散效应。随保温时间的延长或热压压力的提高，复合材料ε′增大，ε″与tgδ减小。此外，断口形貌的SEM观察表明，随保温时间的延长或热压压力的提高，复合材料界面层变厚。
- 翟晓勇周万城罗发朱冬梅
- 关键词：LAS玻璃陶瓷介电性能
