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贾少旭

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇单粒子
  • 2篇单粒子翻转
  • 2篇核反应
  • 2篇GEANT4
  • 1篇单粒子效应
  • 1篇电荷
  • 1篇电路
  • 1篇淀积
  • 1篇料层
  • 1篇互联
  • 1篇集成电路
  • 1篇反应截面
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇SEU

机构

  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇韩郑生
  • 3篇毕津顺
  • 3篇贾少旭
  • 2篇罗家俊
  • 1篇曾传滨
  • 1篇刘刚

传媒

  • 1篇核技术
  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真被引量：2
2012年
利用MC工具Geant4研究核反应对于半导体器件单粒子翻转效应(SEU)的影响,构建了研究的一般方法。辐照过程中电学与核反应物理过程的作用决定器件中敏感单元产生的淀积电荷量的分布,核反应的物理过程对于沉积较高电荷量的贡献很大。此外,利用Geant4分析静态随机存储器(SRAM)敏感单元上的后段互连材料钨对于单粒子翻转的反应截面的影响,并进行了模拟仿真。模拟结果表明,钨层的存在会加重存储器件的单粒子翻转效应。
贾少旭毕津顺曾传滨韩郑生
关键词：GEANT4核反应单粒子翻转反应截面
Geant4应用于半导体器件单粒子翻转效应的研究
利用蒙特卡洛工具Geant4模拟半导体器件的单粒子翻转效应(SEU),并构建了基于Geant4工具模拟半导体器件及电路单粒子翻转效应的一般方法。辐照过程中主要的电学与核反应物理过程的作用决定了器件中敏感单元产生的沉积电荷...
贾少旭毕津顺刘刚罗家俊韩郑生
关键词：GEANT4核反应
文献传递
后端互联工艺对集成电路单粒子翻转效应的影响
2017年
基于Geant4工具,进行高能粒子入射的蒙特卡洛仿真。介绍了仿真理论,以总反应截面和淀积电荷为参量,研究了后端金属互联工艺对于半导体集成电路单粒子翻转效应(SEE)的影响。实验结果表明,钨层的存在会对半导体器件的单粒子翻转效应有一定的增强作用。金属铝/铜与入射粒子的核反应作用效果相近,相交点对应的电荷淀积量在0.66 p C。大于此电荷量,铝的总反应截面大于铜;而小于此电荷量,则是铜的总反应截面大于铝。欧姆接触的阻挡层钛和氮化钛对单粒子翻转效应略有减缓作用。
毕津顺贾少旭韩郑生罗家俊
关键词：单粒子效应集成电路
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