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黄光辉

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇有机物
  • 1篇阈值电压
  • 1篇PMMA
  • 1篇表面形貌
  • 1篇存储器
  • 1篇存储器件
  • 1篇C_(60)

机构

  • 1篇中南大学

作者

  • 1篇杨兵初
  • 1篇张亚
  • 1篇周聪华
  • 1篇张雷
  • 1篇黄光辉
  • 1篇张峰杰

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PMMA:C_(60)存储器件制备及其电双稳特性被引量：1
2013年
采用氯苯/三氯甲烷混合溶剂配制聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA):富勒烯(C60)溶液,运用旋涂法以氧化铟锡为基底制备薄膜,运用原子力显微镜对薄膜表面形貌进行表征。制备了ITO/PMMA:C60/Al结构的有机双稳态器件,采用伏安法对器件的电双稳态性能进行测试。最后,分析了有机层中的电荷陷阱对器件电双稳特性的影响。实验表明,当溶剂体积比为1:1时,薄膜粗糙度较低,以此薄膜为功能层制备的器件阈值电压为5.4 V,高/低电阻态的电阻比值达到32.1。器件的阈值电压随着薄膜表面粗糙的增加而加大。
张峰杰杨兵初周聪华张亚张雷黄光辉
关键词：表面形貌存储器件阈值电压有机物
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