倪帅
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 7～8 GHz单片集成高功率氮化镓功率放大器被引量：3
- 2018年
- 基于GaN HEMT工艺研制了一款频率覆盖范围为7～8 GHz、输出功率为80 W的高性能大功率放大器。根据输出功率的要求,确定功率输出级器件的栅宽为12 800μm;采用三级放大结构,保证了电路的增益和带宽要求;同时1:3:21的3级器件栅宽比提高了电路的功率附加效率。基于最优效率原则优化了大功率放大器各级匹配网络的参数。电路设计过程中充分地考虑了大功率放大器容易出现的各种稳定性问题,并采取了相应的防范措施。采用电磁场仿真技术优化设计的功率放大器芯片的尺寸为3.8 mm×4.1 mm。当芯片在栅压为-2 V、漏压为38 V的条件下测试时,输出功率达到了80 W以上,功率附加效率大于40%。严格的稳定性测试,保证了电路能够稳定、可靠地工作。
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- 关键词：微波单片集成电路功率放大器
- X波段12W GaAs功率放大器MMIC被引量：1
- 2016年
- 基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器（HPA）。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEMT可定标模型参数。HPA原理图设计采用低损耗高效率母线拓扑结构,并基于最优效率原则优化了HPA各级阻抗匹配参数。对HPA容易出现的几种稳定性问题进行了分析,并在设计过程中采取了相应的防范措施。采用电磁场仿真技术优化设计的HPA芯片尺寸为3.5 mm×4.0 mm。在栅源电压为-0.7 V,漏源电压为8 V,工作频率为9～10 GHz的条件下,连续波输出功率达到12 W以上,功率附加效率大于45%,在9.6 GHz时功率附加效率达到50%。
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- 关键词：X波段
- DC-3GHz连续波10W超宽带功率放大器设计被引量：2
- 2020年
- 利用非均匀分布式结构研制了一款超宽带功率放大器,频率覆盖DC-3GHz。该超宽带功率放大器基于4英寸0.25μmGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,采用非均匀分布式放大电路结构,通过微波设计软件优化电路中功率器件的最佳栅宽和静态直流工作点,保证电路在超宽带下具有较高的输出功率和效率。实验测试表明在DC-3GHz的频率范围内,漏压为28V(连续波),栅压为-1.8V,输入功率为29dBm的条件下,功放的饱和输出功率大于40dBm,功率附加效率大于40%,小信号增益大于15dB。
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- 关键词：超宽带GAN高电子迁移率晶体管
