关学锋
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
- 供职机构：东北大学机械工程与自动化学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 硅片抛光的接触压强分布与宏观形貌创成机理
- 2011年
- 为了获得单晶硅片化学机械抛光过程中的接触压强分布及其对基片平面度的影响规律,从化学机械抛光的实际出发,建立了抛光过程的接触力学模型和数学模型.利用有限元方法对接触压强分布进行了计算和分析,并利用抛光实验对计算结果进行了验证;获得了化学机械抛光过程硅片与抛光垫之间的接触表面压强分布形态,以及抛光垫的物理参数对压强分布的影响规律,确定了接触压强分布形态和硅片平面度误差的关系.结果表明,接触压强的分布是不均匀的,而且在硅片外径邻域内接触压强最大,从而导致被加工硅片产生平面度误差和塌边现象.合理地选择抛光垫的弹性模量和泊松比,可以改善接触表面压强分布的均匀性,从而使硅片有效区域的平面度变得更好.
- 关学锋吕玉山冯连东
- 关键词：化学机械抛光单晶硅片平面度误差
